| 摘要 |
본 발명의 박막 트랜지스터 제조방법은 기판의 상면에 게이트절연층을 형성하는 절연층 형성 단계, 상기 게이트절연층의 상면에 열 원자 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방법을 이용하여, 증착온도를 연속적으로 변화시키며 액티브층을 증착하는 액티브층 증착 단계, 상기 게이트절연층의 하면에 게이트전극을 형성하는 제 1 전극 형성 단계 및 상기 액티브층의 상면에, 티타늄(Ti)을 포함하는 금속을 증착하여 소스 전극 및 드레인전극을 상기 액티브층과 일부 중첩되도록 형성하는 제 2 전극 형성 단계를 포함하여 마련된다. 상기의 본 발명의 박막 트랜지스터 제조방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터는 액티브층 및 게이트절연층의 결함 밀도를 줄일 수 있으며, 높은 전압의 게이트 바이어스에서도, 본 발명의 액티브층은 Vth의 변동폭이 낮으므로, 전기적 안정성이 종래의 일반적인 박막 트랜지스터에 비해 개선되었다. |
