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리쏘그래피 공정의 해상도를 증가시킬 수 있는 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자는 하기 화학식으로 표시된다. 상기 화학식에서, R은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기(-CH)이고, R은 탄소수 3 내지 6 및 질소수 1 내지 2의 선형 또는 환형 탄화수소기이고, R는 탄소수 5 내지 20의 알콕시 벤젠기 또는 알콕시 카보닐기이며, x, y 및 z는 상기 화학식의 고분자를 구성하는 전체 반복단위에 대한 각각의 반복단위의 몰%로서, x는 5 내지 90몰%, y는 5 내지 60 몰%, z는 5 내지 30몰%이다. |
