Semiconductor device and manufacturing method of the same

摘要

반도체 소자에 대해 개시되어 있다. 개시된 반도체 소자는 나노 와이어를 지닌 채널과 나노 파티클을 지닌 전하 저장층을 포함할 수 있으며, 전하 저장층 상에는 제 1게이트 및 제 2게이트를 포함하는 트윈 게이트 구조가 형성된 것일 수 있다. 이 경우, 상기 반도체 소자는 메모리 소자 또는 다이오드일 수 있다.