| 主权项 |
1.在一适于沉积半导体层于一底质上之绝缘辉光放电沉积室中,该室包括:一底质;一与底质间隔之阴极;将处理气体导入阴极与底质间之沉积室区域之装置;该导入装置能建立一处理气体之乱流,横越底质之被加层表面;及对阴极授能以离解处理气体成为电浆之装置;其创新之特点为,经组合后:装置(70)适于充分减少流过被加层之底层(11)表面之处理气体之局部稀化与压缩区域,藉以置质上防止处理气体流动图型之形成于底质上。2.根据请求专利部份第1.项之装置,其另外特点为,该减少装置包括一阻隔歧管(52),该歧管包括若干交错之隔板(54a一54c),处理气体在接触被加层之底质(11)表面前受导引而环绕此等隔板。3.根据请求专利部份第2.项之装制,另外之特点为,处理气体导入装置包括一位于阻隔歧管(52)之一室(56c)内之带孔导管(36)。4.在一适于沉积半导体层于一相当大面积之底质上之绝缘辉光放电沉积室中,该室包括:至少一阴极;一与阴极间隔之底质;一界定于阴极上方、下方及两侧之阴极区;将处理气体导入沉积室之装置;至少部份围绕阴极区之屏蔽装置,用以阻止处理气体自阴极区之自由流动;对至少一阴极授能以离解处理气驾成为电浆之装置;及撤出未使用之处理气体及未沉积之电浆之装置;创新之特点为,经组合后:屏蔽装置包括相对之凸缘(52a一64a),此等凸缘间之距离大于底质(11)之宽度,藉使底置在屏蔽装置之该等凸缘下方通过沉积室(28)之阴极区,俾底质之整个横宽被暴露以供半导体材料沉积于其上。5.根据请求专利部份第4.项之装置,另外之特点为,凸缘(52a一64a)处于通过沉积室(28)之底质(11)平面上方且与该平面平行之一平面中。6.根据请求专利部份第5.项之装置,另外之特点为,沉积室(28)另包括吸引装置(50),该装置适于迫使底质趋向凸缘(52a一64a)。7.根据请求专利部份第6.项之装置,另外之特点为,吸引装滤为多个由凸缘(52a一64a)所支持之相间隔之磁体(50) 。 |
