发明名称 具有可饱和磁蕊逻辑单元之脉冲多通道保护系统
摘要
申请公布号 TW070439 申请公布日期 1985.09.16
申请号 TW073104009 申请日期 1984.09.27
申请人 西屋电气公司 发明人
分类号 G21C9/00 主分类号 G21C9/00
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种积体化之平方电路,包含:一对大致相同而为约直线性之双端放大器,各放大器接受一个输入讯号并且各有独立之耦合装置分别馈供一对约相同及约直线性双/单端转换器中之不同个转换器,放大器之一之耦合装置,交叉耦合该放大器之一对输出至对应转换器之一对输入,非直线性/和装置把转换器之单端输出做非直线性转换并相加。2.请求专利部份第1项之电路,其中各放大器是一个具有一对分开之MOS反相器彼此并连的差放大器,各放大器接受相同之定电流馈电,各放大器之反相器之一接受该转入讯号为输入而另一反相器以参考电压为输入。3.请求专利部份第2项之电路,其中各反相器具有一输入MOS电晶体与一负载串连。4.请求专利部份第3项之电路,其中各负载是一个互导与输入MOS电晶体均相同之MOS电晶体。5.请求专利部份第2.3或4项之电路,其中参考电压是地电位。6.请求专利部份前述任一项之电路,其中各转换器包含一独立对之输入MOS电晶体及一独立对输出MOS电晶体,各转换器之各输入电晶体与该转换器之对应输出电晶体串连,各转换器之二输出电晶体之闸极共接至该转换器之输入电晶体之一。7.请求专利部份前述任一项之电路,其中非直线性/和装置包含一对将彼此并连及与一负载串连以把偏压至非直线性区之输入MOS电晶体,输入电晶体之一之闸极连接至转换器之一之输出而其另一输入电晶体之闸极连接另一转换器之输出,因此,在工作中,可在位于装置之输入电晶体与负载间之节点建立讯号之平方。
地址 美国
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