| 主权项 |
1.一种产生具有第一及第二层敷金属的一种层叠式结构的方法,该法之特征乃在于:藉着于一间隔片层之上置放一种分离层而形成第一层敷金属,蚀刻该分离层及间隔片层俾刻划出其中场区,置放一第一金属层,置放一蚀刻障碍层,然后溶解分离层俾除去位于场区中之第一金属层及蚀刻障碍层。2.依据请求专利部份第1.项之一种方法,其特征乃在于:于溶解分离层后置放一钝化层,于钝化层上置放一介电层,通过钝化层及介电层而曝露出蚀刻障碍层,置放一第二金属层,然后蚀刻第二金属层俾形成第二层数金属。3.依据请求专利部份第1.或2.项的一种方法,其特征乃在于其中之分离层及间隔片层乃藉电浆蚀刻法(Plasmaetching)而被蚀刻。4.依据请求专利部份第3.项之一种方法,其特征乃在于其中所用之电浆蚀刻法中引用了氧气电浆来蚀刻。5.依据前述请求专利部份中任一项之一种方法,其特征乃在于其中之分离层系藉旋转方式(spinning)而被置放(涂覆)。6.依据请求专利部份2.至5.项中任一项之一种方法,其特征乃在于其中之第一及第二金属层乃藉磁控管溅散法而被置放。7.依据请求专利部份第2.至6.项中任一项之一种方法,其特征乃在于其中之蚀刻障碍层系藉着蚀刻介电层以及反溅散钝化居而被曝露出。8.依据请求专利部份第2.至6.项中任一项之一种方法,其特征乃在于其中之蚀刻障碍层系藉着蚀刻介电层及钝化层而被曝露出。9.依据前述请求专利部份中任一项之一种方法,其特征乃在于其中之分离层及间隔片层乃通过一种其中刻划有场区之铝制罩层而被蚀刻。10.依据前述请求专利部份中任一项之一种方法,其特征乃在于其中之分离层包含了光阻。11.依据前述请求专利部份中任一项之一种方法,其特征乃在于其中之间隔片层包含了聚醯胺。12.依据前述请求专利部份中任一项之一种方法,其特征乃在于其中之蚀刻障碍层包含了铬。13.依据请求专利部份中2.至12.项中任一项之一种方法,其特征乃在于其中之介电层包含了聚醯亚胺。14.依据请求专利部份中第2.至13.项中任一项之一种方法,其特征乃在于其中之钝化层包含了钛。15.依据请求专利部份中第2.至13.项中任一项之一种方法,其特征乃在于其中之钝化层包含了矽。 |
