| 主权项 |
1.一种藉由以一蒸气相氧化环境氧化一液相母金属制造一自立式陶瓷构造的方法,包括下列步骤:(a)选择一母金属;(b)施加一包括有至少一掺杂材料之层在该母金属的至少一部份表面上,让至少一掺杂材料能够使母金属经由任何表面外皮迁移,该表面外皮系提供用来将已迁移之母金属于该母金属已提高至足以使母金属成为液相之高温下曝露于该氧化环境;(c)提高至少一部份表面施加有掺杂剂材料之母金属的温度以使该母金属成为液相且使母金属迁移经过任何表面外皮而向氧化环境提供已迁移之母金属;以及(d)维持母金属于该昇高温度且在氧化气氛下历一足够使被提供之母金属与氧化气氛反应而在含掺杂剂层内以及其外形成一母金属之氧化反应产物,并历一足以持续将母金属向氧化气氛提供以形成附加的氧化反应产物,如此即形成一自立式陶瓷多结晶氧化反应产物组织。2.一种如请求专利部份第1.项所请求之方法,其中该母金属是铝或一铝合金。3.一种如请求专利部份第2.项所请求之方法,其中步骤(b)系由施加包含有一催进掺杂材料与一启始掺杂材料之数层而实施。4.一种如请求专利部份第3.项所请求之方法,其中该启始掺杂材料本质上是由一镁源所组成。5.一种如请求专利部份第3.项所请求之方法,其中步骤(b)是由按顺序地施加一包含催进掺杂剂之第一层,然后施加一包含启始掺杂剂之第二层而实施。6.一种如请求专利部份第3.,4.或5.项所请求之方法,其中步骤(b)系由按顺序地施加一包含催进掺杂剂之第一层,然后施加一包含催进掺杂剂之第二层而实施。7.一种如请求专利部份第3.、4.或5.项所请求之方法,其中步骤(b)系由按顺序地施加一包含启始掺杂剂之第一层,然后施加一包含启始掺杂剂之第二层而实施。8.一种如请求专利部份第3.、4.或5.项所请求之方法,其中步骤(b)是由均匀混合催进和启始掺杂剂并将一含有此混合物之层施加在母金属表面的至少一部份上而实施。9.一种如请求专利部份第2.项所请求之方法,其中实施步骤(c)以将母金属之温度提高至大约1000℃至大约1450℃。10.一种如请求专利部份第2.项所请求之方法,其中实施步骤(c)以将母金属之温度提高至大约1000℃至大约1350℃。11.一种如请求专利部份第2.项所请求之方法,其中该母金属系与一启始掺杂剂混合,且其中步骤(b)是由施加一含有一催进掺杂剂之层于该母金属表面部份上而实施。12.一种如请求专利部份第2.项所请求之方法,其中该母金属是与一催进掺杂剂混合,且其中步骤(b)系由施加一含有一启始掺杂剂之层于该母金属之表面部份上而实施。13.一种如请求专利部份第11.或12项所请求之方法,其中该启始掺杂剂系一镁源且其中该催进掺杂剂为一IVB族元素之来源。14.一种如请求专利部份第1.项所请求之方法,其中该至少一掺杂材料之一部份系混合在母金属中,剩余部份被施加在该表面层上。15.一种如请求专利部份第14.项所请求之方法,其中该至少一掺杂材料包含启始与催进掺杂材料。16.一种制造一自立式陶瓷构造之方法,包括下列步骤:(a)施加一包含至少一掺杂剂材料之层于一本质上由铝所组成之主体的一表面之一部份上,该至少一掺杂剂材料能够使铝迁移通过一形成于该立体之表面上的一氧化铝外皮;(b)将此具有一被施加在其一表面部份上,包含至少一掺杂剂材料之层的主体在约i000℃至约1450℃之间之范围的昇高温度下置于氧化气氛中,该温度足以使该主体熔融;以及(c)使熔融之主体的铝迁移通过氧化物外皮且该层即变为曝露于氧化气氛中俾允许被曝露之铝与氧化环境起反应而形成位于氧化铝结晶层上之层,造成一含有一些母金属未被氧化之成份的多晶质互连氧化物组织,该互连之氧化物本质上系由不少于80%之铝氧化物所组成。17.一种如请求专利部份第16.项所请求之方法,其中该步骤(a)系由施加分别包含催进与启始掺杂材料之数层于该表面部份上而实施。18.一种如请求专利部份第16.项所请求之方法,其中;步骤(a)系由施加一包含催进和启始掺杂剂材料之层而实施。19.一种如请求专利部份第18.项所请求之方法,其中该层包含一启始和催进掺杂剂之混合物。20.一种如请求专利部份第17.、18.或19.项所请求之方法,其中该启始掺杂剂是由一镁源所组成。21.一种如请求专利部份第20.项所请求之方法,其中该镁源是MgO或MgAl2O4。22.一种如请求专利部份第21.项所请求之方法,其中该启始掺杂剂材料源系以不超过0.1克/平方公分之量施加在表面部份上。23.一种如请求专利部份第17﹒、18.或19.项所请求之方法,其中该催进掺杂剂系一IVB族元素源。24.一种如请求专利部份第23.项所请求之方法,其中该源系一IVB族元素之一氧化物。25.一种如请求专利部份第17.、18.或19.项所请求之方法,其中该催进掺杂剂包括一片覆盖于该表面部份上之含矽玻璃。26.一种如请求专利部份第17.项所请求之方法,其中一包含启始掺杂剂材料之层系首先被施加在该表面部份上,按着再施加一含有催进掺杂剂材料之层。27.一种如请求专利部份第17.项所请求之方法,其中一包含一催进掺杂剂材料之层系首先被施加在该表面部份上,按着再施加一含有启始掺杂剂材料之层。28.一种如请求专利部份第16.项所请求之方法,其中该氧化气氛本质上为氧所组成。29.一种如请求专利部份第16.项所请求之方法,其中该氧化气氛含有一氧源。30.一种藉由以一蒸气相氧化环境氧化一含铅之液相母金属制造一自立式陶瓷构造的方法,包括下列步骤:(a)选择一母金属。(b)施加一含有至少一掺杂材料之层在该母金属的至少一部份表面上,该至少一掺杂材料能够致使母金属迁移通道该氧化物外皮而将已迁移之母金属于已提高至足以使其成为液相之高温下曝露于该氧化环境;(c)提高至少一部份表面施加有掺杂剂材料之母金属的温度以使该母金属成为液相且使母金属迁移经过氧化物外皮而向氧化环境提供已迁移之母金属;以及(d)维持母金属于该昇高温度且在氧化气氛下历一足够使被提供之母金属与氧化气氛反应而在造成该母金属迁移所需要之含掺杂剂层内以及其外形成一母金属之氧化反应产物,并历一足以持续将向氧化气氛提供母金属以形成附加的氧化反应产物,如此即形成一含有一些母金属之未氧化成分之自立式陶瓷多结晶氧化物组织,该互连氧化物本质上由不少于80%之氧化铝所组成。31.一种如请求专利部份第30.项所请求之方法,其中步骤(b)是由施加含有一催进掺杂剂材料和一启始掺杂剂材料之数层而实施。32.一种如请求专利部份第31.项所请求之方法,其中该催进掺杂剂本质上由一镁源所组成。33.一种如请求专利部份第31.项所请求之方法,其中该催进掺杂材料本质上由一IVB族元素之源所组成。34.一种如请求专利部份第31.、32.或33项所请求之方法,其中步骤(b)是由顺序地施加一含有催进掺杂剂之第一层,然后施加一含有启始掺杂剂之第二层而实施。35.一种如请求专利部份第31.、32.或33.项所请求之方法,其中步骤(b)是由按顺序地施加一含有启始掺杂剂之第一层,然后施加一含有催进掺杂剂之第二层而实施。36.一种如请求专利部份第31.、32.、33.项所请求之方法,其中步骤(b)是由均匀混合该催进与启始掺杂剂并在母金属之表面的至少一部份上施加一含有此混合物之层而实施。37.一种如请求专利部份第30.项所请求之方法,其中步骤(c)被实施以将母金属之温度昇高至约1000℃至约1450℃之间。38.一种如请求专利部份第30.项所请求之方法,其中步骤(c)被实施以使母金属之温度昇高至约1000℃至约1350℃之间。39.一种如请求专利部份第30.项所请求之方法,其中该母金属与一启始掺杂剂混合,且其中步骤(b)是由在母金属之表面部份上施加一包含一催进掺杂剂之层而实施。40.一种如请求专利部份第30.项所请求之方法,其中该母金属与一催进掺杂剂混合,且其中步骤(b)是由在母金属之表面部份上施加一包含启始掺杂剂之层而实施。41.一种如请求专利部份第39.或40.项所请求之方法,其中该启始掺杂剂为一镁源且其中该催进掺杂剂为一IVB族元素之源。42.一种如请求专利部份第30.项所请求之方法,其中该至少一掺杂剂材料之一部份系混合在该母金属中,剩余部份则被施加在该表面层上。43.一种如请求专利部份第42.项所请求之方法,其中该至少一掺杂剂包括启始和催进掺杂剂材料。44.一种如讲求专利部份第30.项所请求之方法,其中该氧化气氛本质上由氧组成。45.一种如请求专利部份第30.项所请求之方法,其中该氧化气氛为一氧源。 |
