| 主权项 |
1.一种在基质表面上制造超导层的方法,其特征在于此法包含:(a)施加先质溶液于基质表面上以产生实质上均匀的层状物;及(b)在氧存在下加热至少部份的此层状物以使得在部份层状物中的至少实质部份材料转变成金属氧化物超导性材料2.依申请专利范围第1项的方法,其包含选择先质溶液及(b)之条件使金属氧化物超导材料具有命名组成Ba2_xM1_yXx+yCu3O9_,M是选自Y,Eu及La,X是不同于Ba,Y,Eu及La的随意成份且系选自原子序57-71的元素,Sc,Ca及Sr,0<x+y<1,1.5<<2.5,且BaM是至少50原子%末取。3.代依申请专利范围第1或2项的方法,其包含选择含Cu,Ba及Y的先质溶液,而此先质溶液中之Cu-浓度至少约0.01M。4.依申请专利范围第3项的方法,其包含将一含铜化合物溶解于酸性含水介质中而形成先质溶液,且其中施加于基质上的先质溶液之温度是高于基质的温度。5.依申请专利范围第1或2项的方法,其中实质上均匀的层状物除了若干有用组份外尚包含一种以上的无用组份,而(b)包含加热层状物至第一温度以使层状物的无用组份自其中移出。6.依申请专利范围第1或2项的方法,其中(b)包加热层状物至第二温度,保持层状物在第二温度一段足够的时间以使至少实质部份的层状材料转变成相关于超导性的相,冷却层状物至低于第二温度之第三温度,及使层状物与含氧气体接触一段足够的期间以造成层状物材料之有效氧饱和。7.依申请专利范围第6项的方法,其包含实质上在所有(b)步骤期间保持层状物与含氧气体的接触。8.依申请专利范围第6项的方法,其进一步包含加热层状物至第一温度以使任何层状物的无用组份实质上自层状物中移除,其中第一温度是在250-450c的范围内,第二温度是在600-1000c的范围内,及第三温度是在300-500c的范围内。9.依申请专利范围第1或2项的方法,其包含提供一基质,而至少此基质的部份表面是由在(b)步骤期间对氧及对于层状物材料是实质上惰性的材料所组成。10.依申请专利范围第9项的方法,其包含由MgO,ZrO2及SrTiO3中选取基质。11.依申请专利范围第1或2项的方法,其包含提供含有主要基质材料及在至少部份的主要基质材料上之障壁层的基质。12.依申请专利范围第11项的方法,其包含选用实质上由选自Au,Ag,MgO,ZrO2及SiTO3的材料所组成的障壁层。13.依申请专利范围第1或2项的方法,其包含选用纤维主体基质。14.申请专利范围第1或2项的方法,其中(a)包含嗔洒先质溶液于主要表面上,而基质的温度实质上高于先质溶液之温度。15.依申请专利范围第1或2项的方法,其中先质溛系经由将一种以上的有机金属化合物溶解于一有机榕剂中而形成的。16.依申请专利范围第15项的方法,其中先质溶液系经由溶解至少一种选自乙基己酸盐及丁酸盐的有机金属化合物所形成,而其中的溶剂是氯仿或甲苯。17.依申请专利范围第16项的方法,其包含溶解至少一种选自乙基己酸铜,异丁酸铜,乙基己酸钡,及异丁酸钡之有机金属化合物,且其中(b)包含加热层状物至在820-1000c范围中之温度。18.一种超性接合装置,其包含位于一基质表面上之一超导层,该超导层系依如下方法制成:(a)施加先质溶液于基质表面上以产生实质上均匀的层状物;及(b)在氧存在下加热至少部份的此层状物以使得在部份层状物中的至少实质部份材料转变成金属氧化物超导性材料。19.一种超导性侦测器,其包含位于一基质表面上之一超导层,该超导层系依如下方制成:(a)施加先质溶液于基质表面上以产生实质上均匀的层状物;及(b)在氧存在下加热至少部份的此层状物以使得在部份层状物中的至少实质部份材料转变成金属氧化物超导性材料。20.一种包含电子电路间或晶片间之超导性连线的装置,其包含位于一基质表面上之一超导层,该超导层系依如下方法制成:(a)施加先质溶淬于基质表面上以产生实质上均匀的层状物;及(b)在氧存在下加热至少部份的此层状物以使得在剖份层状物中的至少实质部份材料转变成金属氧化物超导性材料。图示简单说明:图1系显示本发明方法之主要步骤的流程图;图2系在基质上之经定好图样的本发明超导性层的图示描绘。 |
