分割式N 埋层位元线并联式仅读记忆单元

摘要

一种“分割式N+型埋层位元线并联式仅读记忆单元”，系指一种金属一氧化层一半导体记忆装置，其主要结构在一Ｐ型矽基板上或在Ｐ型井内，在形成完厚氧化层（场氧化层，field Oxide）后，用离子注入方式形成两条完全分割的N+型埋层位元线，其中之一N+型埋层位元线上与一金属位元线作接触，而为该单元之源极，而另一N+型埋层位元线则传导接地，作为该单元之汲极，这些N+型埋层位元线分别连接各仅读记忆单元之源极、汲极，形成一并联式架构，复于其上加设一层薄氧化层，最后在上述之结构上横设数条并联之多晶矽字元线，作为该单元之闸极，此一利用被厚氧化层隔离绝缘的N+埋层位元线，形成并联式架构之仅读记忆单元，使之不仅具有知串联式架构之金属与半导体间接触数少，与晶粒占用面积较小之优点，且又具有知并联式架构之读取速度快与制造简单交货时间短之双重优点者。