| 发明名称 |
P- P-TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE WITH POCKET |
| 摘要 |
터널링 전계 효과 트랜지스터(TFET)가 설명되는데, 이는 제1 도전형을 갖는 드레인 영역; 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 소스 영역; 소스 및 드레인 영역들 사이에 채널 영역을 형성하게 하는 게이트 영역; 및 소스 영역의 접합 근처에 배치된 포켓을 포함하는데, 여기서 포켓 영역은 소스, 채널, 및 드레인 영역들 내의 하나의 유형의 원자의 백분율보다 백분율이 더 낮은 하나의 유형의 원자를 갖는 물질로 형성된다. |
| 申请公布号 |
KR20160137973(A) |
申请公布日期 |
2016.12.02 |
| 申请号 |
KR20167023419 |
申请日期 |
2014.03.27 |
| 申请人 |
인텔 코포레이션 |
发明人 |
아브시, 위가르 이.;코틀야르, 로자;영, 이안 에이. |
| 分类号 |
H01L29/88;H01L21/18;H01L29/165;H01L29/205;H01L29/66;H01L29/73;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/88 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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