| 摘要 |
기판 위 유전체층 내의 적어도 하나의 전도성 라인이 리세싱되어 채널이 형성된다. 상기 채널은 상기 전도성 라인에 자기 정렬된다(self-aligned). 상기 채널은 억제제(inhibitor)를 포함하는 화학물질을 이용하여 상기 전도성 라인을 미리정해진 깊이로 에칭함으로써 형성되어 결정학적 배향(crystallographic orientation)과 관계없이 에칭의 균일성을 제공할 수 있다. 상기 채널 내의 상기 리세싱된 전도성 라인 상에 전자이동을 방지하는 캐핑층(capping layer)이 퇴적된다. 상기 채널은 상기 전도성 라인의 폭 내에 상기 캐핑층을 포함하도록 구성된다. |
