发明名称 双埠端记忆装置之资料输入电路
摘要 一种双埠端记忆装置之资料轮入电路包括一资料闩脉冲产生器、一用以产生第二资料闩脉冲之闩及一输入缓冲器,因而在双埠端记忆装置执行方块写入动作时藉闩锁住对应方块写入信号宽度之资料闩脉冲宽度,能防止由许多随意情况之资料输入信号引起之无效多重选取IMS现象。
申请公布号 TW183827 申请公布日期 1992.05.11
申请号 TW079106387 申请日期 1990.09.08
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 郑盛旭
分类号 H03K3/00 主分类号 H03K3/00
代理机构 代理人 郑自添 台北巿敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种双埠端记忆装置之资料输入电路包括:一资料闩锁脉冲产生器(20),用以产生具一特定脉冲宽之一第一资料闩锁脉冲,系应用于双埠端记忆装置,根据列地址触动信号(CAS),写入致能信号(WE)及段块写入信号( BW)而产生;一输入缓冲器(10),用以依照该第二资料闩锁脉冲之资料输入信号(DIN)及段块写入信号( BW)之输入,以输出资料输入信号(DIH)或列选取信号(CSi);其特征在于:一闩锁电路(30),用以依照一段块写入信号( BW)之输入藉控制该第一资料闩锁脉冲之预定宽度而产生一第二资料闩锁脉冲。2.如申请专利范围第1项之资料输入电路,其中该第二资料闩锁脉冲在段块写入模式中具有与该段块写入信号( BW)相同之宽度。3.如申请专利范围第1项之资料输入电路,其中该第二资料闩锁脉冲在正常写入模式中具有与该第一资料闩锁脉冲相同之宽度。4.如申请专利范围第1项之资料输入电路,其中该闩锁电路(30)包括二反及闸(NAND)(AN1)(NA2)及一倒相器(IN)。
地址 韩国