| 发明名称 | 外延晶圆的制造方法及外延生长用硅系基板 | ||
| 摘要 | 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。 | ||
| 申请公布号 | CN106068547A | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201580011736.1 | 申请日期 | 2015.02.10 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 萩本和德;篠宫胜;土屋庆太郎;后藤博一;佐藤宪;鹿内洋志;小林昇一;栗本宏高 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 谢顺星;张晶 |
| 主权项 | 一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||