发明名称 | 红外光电探测器 | ||
摘要 | 本实用新型属于一种半导体敏感元件。该探测器用金属有机化合物化学汽相淀积(mocvd)技术,在n型衬底上生长一层与衬底晶格匹配的P型半导体材料为滤光层,然后在滤光层上再生长一层激活层。这种探测器可广泛用于测距、夜视仪、红外测量及科研中的高精度测量等方面。 | ||
申请公布号 | CN2132287Y | 申请公布日期 | 1993.05.05 |
申请号 | CN92229089.X | 申请日期 | 1992.07.27 |
申请人 | 中国科学院长春物理研究所 | 发明人 | 蒋红;周天明;张宝林;宁永强;金亿鑫 |
分类号 | H01L31/00 | 主分类号 | H01L31/00 |
代理机构 | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人 | 周长兴 |
主权项 | 1、一种红外光电探测器,包括有衬底和激活层,其特征在于衬底与激活层之间外延一层滤光层。 | ||
地址 | 130021吉林省长春市延安大路1号 |