发明名称 |
强磁性金属薄膜磁敏电阻及其制造工艺 |
摘要 |
强磁性金属薄膜磁敏电阻及其制造工艺,其芯片有衬底片及镍、钴合金镀层构成,镀层形成两个完全相同的迂回状电阻条相互垂直配置,具有三个引出端。其制造工艺依次为材料清洗处理、蒸镀合金薄膜、光刻腐蚀、划片、超声压焊、涂油、封装、高低温老化和功率老化各工序组成。蒸镀合金薄膜要求真空度达到5×10<SUP>-5</SUP>mmHg以上,衬底加热器温度为310℃~320℃。该产品温度特性好,灵敏度高,易于制造,在自动检测、控制及仪器仪表中得到广泛应用。 |
申请公布号 |
CN1076312A |
申请公布日期 |
1993.09.15 |
申请号 |
CN93110039.9 |
申请日期 |
1993.01.15 |
申请人 |
孟庆波 |
发明人 |
孟庆波 |
分类号 |
H01L43/08;H01L43/12 |
主分类号 |
H01L43/08 |
代理机构 |
营口市专利事务所 |
代理人 |
汪长敏 |
主权项 |
1、强磁性金属薄膜磁敏电阻,由芯片和芯片引出角构成,其特征在于芯片是由衬底片和衬底片上的镍、钴合金镀层构成,镍、钴合金镀层形成两个完全相同的具有遇回状的电阻条(1)相互垂直地配置,具有三个引出端(2)、(3)、(4),引出端连芯片引出角(5)、(6)、(7),芯片外是塑封层(8)。 |
地址 |
115004辽宁省营口市西市区永强街团结里68号营口市华光传感元件厂 |