矽绝缘体构造之半导体装置的制造方法

摘要

本发明系指一种利用矽绝缘技术在一绝缘层围绕之矽半导体阱内制造一半导体装置的方法，特别是提供一种矽绝缘体金属氧化物半导体场效应电晶体(SOI MOSFET)；依本发明而制造矽绝缘体构造之半导体装置的方法，包括如下步骤：在一晶圆上形成一垫衬氧化物，该晶圆的最下方是一道矽基片，其上设有一道埋设氧化物层或埋设氮化物层，最上方则为一道矽层，另在前述埋设氧化物层的预定部位上形成一氮氧化物区；形成一个与前述氮氧化物区相交的活性矽区，再对前述外露的氮氧化物区以湿蚀刻法形成一空穴；在外露活性矽层的表面上形成一道闸绝缘层；形成一聚矽层以供填补围绕住前述活性矽区的空穴，再将前述之涂布聚矽层的预定部位清除，以供形成一闸电极；及在前述被闸电极加以分隔的活性矽层上形成源极与吸极区。

主权项

1.一种矽绝缘体构造之半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在一晶圆上形成一垫衬氧化物,该晶圆的最下方是一道矽基片,其上设有一道埋设氧化物层或埋设氮化物层,最上方则为一道矽层,另在前述埋设氧化物层的预定部位上形成一氮氧化物区;形成一个与前述氮氧化物区相交的活性矽区,再对前述外露的氮氧化物区以湿蚀刻法形成一空穴;在外露活性矽层的表面上形成一道闸绝缘层;形成一聚矽层以供填补围绕住前述活性矽区的空穴,再将前述之涂布聚矽层的预定部位清除,以供形成一闸电极;以及在前述被闸电极加以分隔的活性矽层上形成源极与吸极区。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中氮氧化物区是以氮离子注入法形成。图1A至5C所示者系习用矽绝缘体金属氧化物半导体场效应电晶体的各个制造步骤;图6A至9C所示者系本发明之矽绝缘体金属氧化物半导体场效应电晶体的各个制造步骤;以及图10所示着为矽绝缘体金属氧化