发明名称 |
PROCESS FOR PRODUCING A SEGMENTED SINGLE CRYSTAL PLATE |
摘要 |
Procédé de fabrication d'une plaquette monocristalline segmentée. on protège une partie de la surface de la première structure par un dépôt d'oxyde, et on attaque les couches non protégées jusqu'à atteindre une couche d'arrêt. Puis on réforme des couches dans la zone attaquée par dépôt épitaxial par jets moléculaires, en donnant à l'une des couches redéposées une composition différente de celle de la couche adjacente. Application à la fabrication de lasers semi-conducteurs à modulateur intégré. Figure à publier : Fig. 5
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申请公布号 |
CA2140697(A1) |
申请公布日期 |
1995.07.22 |
申请号 |
CA19952140697 |
申请日期 |
1995.01.20 |
申请人 |
ALCATEL N.V. |
发明人 |
GAUMONT-GOARIN, ELISABETH;LABOURIE, CHRISTINE;EMERY, JEAN-YVES |
分类号 |
H01S5/00;H01L33/00;H01S5/026;H01S5/06;(IPC1-7):H01L21/301;C30B25/02;H01S3/025;H01S3/103;H01S3/18;H01L21/20;H01L21/306 |
主分类号 |
H01S5/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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