发明名称 磁光性层及磁光性记录媒体(二)
摘要 一种对所具短波长为400至550毫微米之光敏感且具有一垂直磁化之磁光性层可在室温下沈积于一基片上面。该磁光性层为三次合金者,其所具之成分为CoaPtbRuc,其中20≦a≦70,10≦b≦70,10≦c≦60及 a+b+c=100,或为CodPteRuf,其中d≦80,5≦e,5≦f,40≦4d-5f及d+e+f=100,而该层所具之易磁化轴线系垂直于该层的主要表面。该磁光性层可为上述两种三次合金的某一组合之四元合金CoPtRuRe(钴铂钌铼)。
申请公布号 TW257858 申请公布日期 1995.09.21
申请号 TW084101473 申请日期 1993.06.25
申请人 帝人股份有限公司 发明人 千叶洁;武田良彦;梅泽朋一
分类号 G11B11/12 主分类号 G11B11/12
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种钴、铂及铼的三次合金之磁光性层,其具有Co@ssdPt@sseRe@ssf的成分,而在Co@ssdPt@sseRe@ssf中d≦80,5≦e,5≦f,40≦4d-5f及d+e+f=100,该磁光性层具有一与磁光性层的主要表面垂直的易磁化层,该磁光性层系为多晶。2.依据申请专利范围第1项之磁光性层,其中d≦75,5≦e≦45,5≦f及40≦4d-5f。3.依据申请专利范围第1项之磁光性层,其中d≦70,10≦e≦45,5≦f及d≧3f。4.一种磁光性记录媒体,其包括有一基片,及在该基片上包括有一如申请专利范围第1,2或3项所述之磁光性记录层。图示简单说明:第1图所示为本发明的磁光性层的钴铂钌(CoPtRu)合金之成分范围;第2图所示为本发明之磁光性层的钴铂铼(CoPtRe)合金之成金范围;第3图所示为本发明的磁光性层之CoPtReRu合金的成分范围;第4图所示为范例中CoPtRu三次合金属之克尔磁滞曲线,及第5图所示为含有CoPtRe合金记录层的磁光性记录媒体之
地址 日本