| 主权项 |
1. 一种在矽晶圆表面上形成氧化层隔离区域的方法,其中在上述的晶圆上形成一薄氧化层;在上述氧化层上形成一层杂质掺杂型复晶矽;在上述晶矽层上形成一层氮化矽层;将上述氮化矽层加以图案化;利用热氧化制程形成上述氧化层隔离区域;和利用一个连续的蚀刻步骤以磷酸为蚀刻组成,在高于150℃的温度下将上述氮化矽层和复晶矽层去除以完成上述晶圆表面上的上述氧化层隔离区域。2. 如申请专利范围第1项所述之一种在矽晶圆表面上形成氧化层隔离区域的方法,在上述氮化矽层的图案化过程中,上述复晶矽的部份厚度被蚀刻而留下一定厚度的复晶矽。3. 如申请专利范围第1项所述之一种在矽晶圆表面上形成氧化层隔离区域的方法,上述磷酸是由水溶液和磷酸所组成的。4. 能同时蚀刻氮化矽和掺杂型复晶矽的方法,其中提供上述氮化矽和上述掺杂型复晶矽本体;且利用磷酸溶液在高于150℃温度下同时蚀刻上述氮化矽和上述复晶矽本体以去除上述每一本体的需要部份。5. 如申请专利范围第4项所述之一种同时蚀刻氮化矽和掺杂型复晶矽的方法,上述复晶矽所掺杂的杂质浓度大于1E19 ions/cc。6. 如申请专利范围第4项所述之一种同时蚀刻氮化矽和掺杂型复晶矽的方法,上述掺杂型复晶矽所掺杂的杂质是磷。7. 如申请专利范围第4项所述之一种同时蚀刻氮化矽和掺杂型复晶矽的方法,上述掺杂型复晶矽所掺杂的杂质砷是利用离子植入法植入到非掺杂型复晶矽,然后经过加温处理使砷杂质均匀地分布在复晶矽层中。8. 如申请专利范围第4项所述之一种同时蚀刻氮化矽和掺杂型复晶矽的方法,上述掺杂型复晶矽所掺杂的杂质硼是利用杂子植入法植入到非掺杂型复晶矽,然后经过加温处理使得硼杂质均匀地分布在复晶矽层中。9. 如申请专利范围第4项所述之一种同时蚀刻氮化矽和掺杂型复晶矽的方法,上述复晶矽在成长时同时(in-situ)掺杂磷杂质。10. 在超大型积体电路元件的制程中,一种在平坦矽晶表面的部份形成隔离区域的方法,其中在气化层上形成一层氧化遮蔽层结构,上述结构由一层盖在上述氧化层的掺杂型复晶矽和一层盖在上述复晶矽层的氮化矽所组成;上述遮蔽层结构覆盖在企图和其它此类的表面区域隔离的表面区域;将上述平坦矽晶表面的上述部份氧化后形成上述隔离区域;利用可选择性蚀刻氮化矽和非掺杂型复晶矽,且蚀刻速率大致相同的磷酸液在温度高于150℃的环境下去除上述氧化遮蔽层结构。11. 如申请专利范围第10项所述之在平坦矽晶表面的部份形成隔离区域的方法,上述掺杂型复晶矽层也同时在上述氧化层的无遮蔽部份,其中上述厚度比上述氧化遮蔽层结构部份的掺杂型复晶矽层厚度少。12. 如申请专利范围第11项所述之在平坦矽晶表面的部份形成隔离区域的方法,上述作为遮蔽层结构的上述掺杂型复晶矽的厚度约在1200-4000埃之间,且上述不是遮蔽层结构的上述掺杂型复晶矽的厚度约在1000-3500埃之间。13. 如申请专利范围第10项所述之平坦矽晶表面的部份形成隔离区域的方法,上述磷酸是水溶液和磷酸所组成的。14. 如申请专利范围第11项所述之在平坦矽晶表面的部份形成隔离区域的方法,其中上述复晶矽掺杂的磷杂质浓度大于1E19 ions/cc,此磷杂质是利用离子植入法植入到非掺杂型复晶矽,然后经过加温处理使得磷杂质均匀在复晶矽层中。15. 如申请专利范围第11项所述之在平坦矽晶表面的部份形成隔离区域的方法,其中上述复晶矽掺杂的砷杂质浓度大于1E19 ions/cc,此砷杂质是利用离子植入法植入到非掺杂型复晶矽,然后经过加温处理使得砷杂质均匀地分布在复晶矽层中。16. 如申请专利范围第11项所述之在平坦矽晶表面的部份形成隔离区域的方法,其中上述复晶矽掺杂的硼杂质浓度大于1E19 ions/cc,此硼杂质是利用离子植入法植入到非掺杂型复晶矽,然后经过加温处理使得硼杂质均匀地分布在复晶矽层中。图示简单说明:图1是用于积体电路的场氧化层区域形成的习知技术结构剖面。图2-图5是一种新的形成场氧化层区域和去除保护氧化遮 |
