发明名称 高功率、高脉冲重覆频率、小型化、脉冲雷射二极体驱动器
摘要 一个高功率、脉冲雷射驱动器包括一个低阻抗储能电容器,该电容器有一个非一致条线结构成一个一致条线结构,藉此能够大幅降低雷射阵列的电能损失,而又保持高效率、重量轻和小基型化。
申请公布号 TW267267 申请公布日期 1996.01.01
申请号 TW084103320 申请日期 1995.04.07
申请人 宇宙雷射公司 发明人 锺宪东
分类号 H01S3/101 主分类号 H01S3/101
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1. 一种半导体雷射驱动器,包括一用来控制驱动讯号输入的控制装置;用来接收该控制电路内被控制之讯号并藉以产生电能的电功率调节暨脉冲充电装置;用来接受来自该电功率调节暨脉冲充电电路的电能并将之储存的储能装置;触发光源和驱动装置,该电路在电能被储存于储能电路时会产一低功率雷射光;用来将电容性被储存电能转换成一高电流脉冲的光启动半导体开关装置;以及一个高功率雷射阵列,该雷射阵列用以转换接收自该光启动半导体开关电路的高电流脉冲,成一高功率、待输出之光脉冲,其中该储能装置包括一具有非常低阻抗的储能电容。2. 根据申请专利范围第1项之半导体雷射驱动器,其中该储能电容器有一同心圆条形的非一致阻抗条线结构。3. 根据申请专利范围第1项之半导体雷射驱动器,其中该储能电容器有一扇形的非一致阻抗条线结构。4.根据申请专利范围第1项之半导体雷射驱动器,其中该储能电容器有一个一致阻抗条线结构。图示简单说明:图1为根据本发明的高功率、高脉冲重覆频率、小型化、脉冲雷射二极体驱动器的方块图。图2a及2b为根据本发明之储能电容器的平面图和沿图4a中直线A—A切下的剖面图,该电容器有一扇形非一致阻抗条线结构(non—uniform impedance stripline structure)。图3a和3b为依据本发明之储能电容器的平面图和沿图4a中的直线A—A切下的剖面图,该电容器有一同心圆细条状非一致阻抗条线结构。图4a和4b分别图示根据本发明而来,具有一个一致阻抗条线结构的电容器与雷射阵列一起动作的平面图和沿图4a中的A—A直线切下的剖面图。图5系方块图,说明根据本发明而来,具有一个非一致阻抗条线结构的储能电容器与雷射阵列一起动作状况。图6a至6c分别表示具有非一致阻抗条线结构的储能电容器一系列能量流动的波形图。图7a至7c图中分别表示具有一致阻抗条线结构的储能电容
地址 韩国