发明名称 具有可调整之选择性蚀刻区域之图型化镜子垂直腔表面发射雷射
摘要 制造垂直腔表面发射雷射(VCSEL)之图案镜系为:由许多对比较高和低折小率层形成第一镜堆叠,在第一镜堆叠上面矛成无铝材料之作用区,及由许多对比较高和低折射率层形成第二镜堆叠。第二镜堆叠包括由选用来提供在第一如第二部份间之同之蚀刻率的材料所形成的第一和第二部分。以利用第一部份当做蚀刻停止目标,第二部份被选择性蚀刻到促一部份顶端。
申请公布号 TW267268 申请公布日期 1996.01.01
申请号 TW084105207 申请日期 1995.05.24
申请人 摩托罗拉公司 发明人 李兴中;派尔特.格洛辛司基;麦可.S.李贝
分类号 H01S3/19 主分类号 H01S3/19
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1. 一种制造图案镜VCSEL的方法,包括以下步骤:形成第一导电型之第一镜堆叠,第一镜堆叠是由许多对比较高和低折射率层所形成;在第一镜堆叠上形成作用区;及在作用区上形成第二导电型之第二镜堆叠,第二镜堆叠是由位在作用区上包括至少一对比较高和低折射率层的第一部份以及位在第一部份上面包括至少一对比较高和低折射率层的第二部份共同形成的,将第一和第二部份中比较高和低折射率层的对数合并就足以提供VCSEL操作所需的反射率,再者,第一和第二部份包括一些材料,选用来提供在第一和第二部份间不同之蚀刻率并藉以使第二部份相对于第一部份被选择性地蚀刻。2. 一种制造VCSEL图案镜之图案镜的方法,包括以下步骤:形成第一导电型之第一镜堆叠,第一镜堆叠是由许多对比较高和低折射率之AlGaAs和GaAs层所形成;在第一镜堆叠上形成作用区;作用区是由无铝材料所形成;在作用区上形成第二导电型之第二镜堆叠,第二镜堆叠是由位在作用区上面包括至少一对包含InGaAs和GaAs之比较高和低折射率层的第一部份以及位在第一部份上面包括至少一对包含AlGaAs和GaAs之比较高和低折射率层的第二部份共同形成的,将第一和第二部份中比较高和低折射率层的对数合并就足以提供VCSEL操作所需的反射率;及以第一部份当做蚀刻停止目标,选择性蚀刻第二镜堆叠之第二部份。3. 一种图案镜VCSEL,包括有:一基质;位在基质上之第一导电型之一第一镜堆叠,第一镜堆叠是由许多对比较高和低折射率层所形成;位在第一镜堆叠上面之一作用区;以及位在作用区上之第二导电型之一第二镜堆叠,第二镜堆叠是由位在作用区上包括至少一对比较高和低折射率层的第一部份以及位在第一部份上包括至少一对比较高和低折射率层的第二部份共同形成的,将第一和第二部份中比较高和低折射率层的对数合并就足以提供VCSEL操作所需的反射率,并且,第一和第二部份包括一些材料,被选用来提供在第一和第二部份间不同之蚀刻率,将第二境堆叠之第二部份施以图案至第一部份以界定产生雷射之区域。4. 一种图案镜VCSEL,包括有:一基质;位在基质上之第一导电型之一第一镜堆叠,第一镜堆叠是由许多对比较高和低折射率之AlGaAs和GaAs层所形成;位在第一镜堆叠上之作用区,作用区是由无铝材料所形成;位在作用区上之第二导电型之一第二镜堆叠,第二镜堆叠是由位在作用区上包括至少一对包含AlGaAs和GaAs之比较高和低折射率层的第一部份以及位在第一部份上包括至少一对包含InGaAs和GaAs之比较高和低折射率层的第二部份共同形成的,将第一和第二部份中比较高和低折射率层的对数合并就足以提供VCSEL操作所需的反射率,以及将第二镜堆叠之第二部份施以图案至第一部份以便界定产生雷射之区域。图示简单说明:图1是根据本发明,在图案镜VCSEL制程中第一阶段的简化断面图;图2是将图1之结构的一部份加以放大后的断面图;图3是根据本发明,在图案镜VCSEL制程中第二阶段的简化断面图;图4是根据本发明,在图案镜VCSEL制程中最后阶段的简化
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