| 主权项 |
1. 一种半导体装置,其特征为包括:半导体晶粒1;从引出线框架本体朝向内侧延伸后从引出线框架本体上切离而电连接于半导体晶粒之电极之许多连接用引出线;从引出线框架本体朝向内侧延伸后从引出线框架本体上切离,具有朝向半导体晶粒侧弯曲之前端部,以该前端部保持半导体晶粒之许多固定用引出线;及封闭半导体晶粒,许多连接用引出线及许多固定用引出线之树脂制包装。2. 如申请专利范围第1项之装置,其中连接用引出线之内部引出线延伸至半导体晶粒之上侧而电连接于半导体晶粒之电极。3. 如申请专利范围第1项之装置,其中固定用引出线之前端部保持半导体晶粒之侧面。4. 如申请专利范围第3项之装置,其中固定用引出线之前端部与半导体晶粒之侧面成为面接触。5. 如申请专利范围第3项之装置,其中在固定用引出线之前端部与半导体晶粒之侧面之间设置软金属或弹性体。6. 如申请专利范围第3项之装置,其中以树脂或低融点金属接合固定用引出线之前端部与半导体晶粒之侧面。7. 如申请专利范围第3项之装置,其中以具有黏着性之绝缘薄膜接合固定用引出线之前端部与半导体晶粒之侧面。8. 如申请专利范围第3项之装置,其中固定用引出线为接地用引出线。9. 如申请专利范围第1项之装置,其中固定用引出线之前端部保持半导体晶粒之角部。10. 如申请专利范围第9项之装置,其中在固定用引出线之前端部设置保持半导体晶粒之角部之平面L字状保持部。11. 如申请专利范围第9项之装置,其中在固定用引出线之前端部与半导体晶粒之角部之间设置软金属或弹性体。12. 如申请专利范围第9项之装置,其中以树脂或低融点金属接合固定用引出线之前端部与半导体晶粒之角部。13. 如申请专利范围第9项之装置,其中固定用引出线为接地用引出线。14. 一种半导体装置之制造方法,其特征为包括:设置包括引出线框架本体,从引出线框架本体延伸之内侧而形成电连接之许多连接用引出线,从引出线框架本体延伸之内侧而且具有弯曲前端部之许多固定用引出线之引出线框架之第1过程;以许多固定用引出线之前端部保持半导体晶粒之第2过程;以树脂封闭半导体晶粒,许多连接用引出线及许多固定用引出线而形成树脂制包装之第3过程;及将许多连接用引出线及许多固定用引出线从引出线框架本体上切离之第4过程。15. 如申请专利范围第14项之方法,其中在第2过程与第3过程之间又具有以接合线接合半导体晶粒之电极与连接用引出线之内部引出线之过程。16. 如申请专利范围第14项之方法,其中第1过程具有设置许多固定用引出线使其各前端部间之间隔稍小于半导体晶粒之尺寸之过程,第2过程具有将许多固定用引出线之前端部朝向外侧扩大使各前端部间之间隔成为大于半导体晶粒之尺寸之前端部扩大过程,将半导体晶粒设定于引出线框架之半导体晶粒设定过程,及将许多固定用引出线之前端部朝向内侧折回而以前端部保持半导体晶粒之半导体晶粒保持过程。17. 如申请专利范围第16项之方法,其中第1过程具有设置许多固定用引出线使各固定用引出线对引出线框架本体产生弹性力之过程,第2过程中之半导体晶粒保持过程具有利用许多固定用引出线对引出线框架产生之弹性力,以前端部挟持半导体晶粒之过程。18. 如申请专利范围第16项之方法,其中第1过程具有设置许多固定用引出线使其前端部对固定用引出线本体产生弹性力之过程,第2过程中之半导体晶粒保持过程具有利用前端部对固定用引出线本体产生之弹性力以前端部挟持半导体晶粒之过程。19. 如申请专利范围第16项之方法,其中第2过程中之前端部扩大过程具有藉着加热引出线框架而将许多固定用引出线之前端部朝向外侧扩大之过程。20. 如申请专利范围第16项之方法,其中第2过程中之半导体晶粒保持过程具有经由设在固定用引出线之前端部与半导体晶粒间之较半导体晶粒更柔软之物体,以前端部挟持半导体晶粒之过程。21. 如申请专利范围第20项之方法,其中较半导体晶粒更柔软之物体为弹性体。22. 如申请专利范围第14项之方法,其中第1过程具有设置设多固定用引出线使其各前端部间之间隔成为稍大于半导体晶粒之尺寸稍大之过程,第2过程具有将半导体晶粒设定于引出线框架之半导体晶粒设定过程,及接合固定用引出线之前端部与半导体晶粒而以前端部保持半导体晶粒之半导体晶粒保持过程。23. 如申请专利范围第22项之方法,其中第2过程中之半导体晶粒保持过程具有以低融点金属接合固定用引出线之前端部与半导体晶粒之过程。24. 如申请专利范围第22项之方法,其中第2过程之半导体晶粒保持过程具有以绝缘性树脂接合固定用引出线之前端部与半导体晶粒之过程。25. 如申请专利范围第22项之方法,其中第2过程中之半导体晶粒保持过程以具有黏着性之绝缘性薄膜接合固定用引出线之前端部与半导体晶粒。26. 如申请专利范围第14项之方法,其中第2过程具有以固定用引出线之前端部保持半导体晶粒之侧面之过程。27. 如申请专利范围第14项之方法,其中第2过程具有以许多固定用引出线之前端部保持半导体晶粒之侧面之过程。图示简单说明:第1图为本发明第1实施例之半导体装置之断面图;第2(A)图为第1实施例之半导体装置之平面图,第2(B)图为第2(A)图中沿B-B'线之断面图;第3(A)-(E)图为第1实施例中之半导体装置之制造方法之各过程之断面图;第4(A)-(C)图为用来说明第1实施例之半导体装置中之固定用引出线之前端部对引出线框架所形成之角度之断面图;第5(A)-(C)图为用来说明以第1实施例之半导体装置中之固定用引出线之前端部挟持半导体晶粒之方法之断面图;第6(A)-(E)图为用来说明第1实施例之半导体装置中之固定用引出线之前端部与半导体晶粒之高度关系之断面图;第7(A)-(C)图为用来说明第1实施例之半导体装置中之固定用引出线之前端部之下端位置与半导体晶粒之背面位置之关系之断面图;第8图为本发明第2实施例之半导体装置之断面图;第9(A),(B)图为表示第2实施例之其他实施例之半导体装置中之固定用引出线之前端部形状之断面图:第10(A),(B)图为表示本发明第3实施例之半导体装置中之固定用引出线之前端部形状之透视图;第11图为本发明第4实施例之半导体装置之断面图;第12图为第4实施例之其他实施例之半导体装置之断面图;第13图为本发明第5实施例之半导体装置中之引出线框架之平面图;第14图为本发明第6实施例之半导体装置之断面图;第15图为第6实施例之第1其他例之半导体装置之断面图;第16图为第6实施例之第2其他例之半导体装置之断面图;第17(A)-(C)图为第6实施例或第6实施例之第1其他实施例之半导体装置之制造方法中,将低融点金属或绝缘性树脂涂抹于固定用引出线之前端部之过程之断面图;第18(A)图为本发明第7实施例之半导体装置之省略包装之平面图,第18(B)图为第7实施例中之引出线框架之透视图;第19图为第7实施例之半导体装置中省略包装及引出线框架之透视图;第20(A)-(E)图为第7实施例之半导体装置中之固定用引出线之前端部之形状之透视图;第21图为习用之第1半导体装置之断面图;第22图为习用之第2半导体装置之断面图; |
