发明名称 放电灯电极材料,放电灯电极材料制造方法及放电灯电极
摘要 本发明系有关放电灯电极材料,放电灯电极材料制造方法及放电灯电极者,以提供电子流密度高,耐热冲击性高,因溅射产生劣化为少之陶瓷阴极萤光放电灯电极,电极材料及制造方法之同时,可使陶瓷阴极萤光放电灯之管径为小。可得由选自0.5~1.5莫耳之BaO,CaO或SrO之第1成份,和选自0.05~0.95莫耳之ZrO2 或TiO2 之第2成份,和选自0.025~0. 475莫耳之V2O5,Nb2O5,Ta2O5,Sc2O3,Y2O,La2O3,Dy2O3,Ho2O3,0.05~0.95莫耳之HfO2,CrO3,MoO3,WO3之第3成份所构成之电极材料。又,将此电极材料颗粒化,收容于具块状或粒状或多孔质状之电极材料之有底圆筒状半导体瓷器容器,填充于收容电极容器,经由还原烧成而得电极。将陶瓷阴极萤光放电灯之分散器直列配设次半导体瓷器有底圆筒和导线之导出部间。
申请公布号 TW270211 申请公布日期 1996.02.11
申请号 TW083102042 申请日期 1994.03.09
申请人 东电化股份有限公司 发明人 田口春男;岩谷昭一;阿部宏昭;福田胜;田宗光
分类号 H01J61/04 主分类号 H01J61/04
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1. 一种放电灯电极材料,其特征系在于由选自0.5-1.5莫耳之BaO,CaO或SrO之第1成份,和选自0.05-0.95莫耳之ZrO@ss2或TiO@ss2之第2成份,和选自0.025-0.475莫耳之V@ss2O@ss5,Nb@ss2O@ss5,Ta@ss2O@ss5,Sc@ss2O@ss3,Y@ss2O@ss3,La@ss2O@ss3,Dy@ss2O@ss3,Ho@ss2O@ss3,0.05-0.95莫耳之HfO@ss2,CrO@ss3,MoO@ss3,WO@ss3之第3成份所构成者。2. 如申请专利范围第1项之放电灯电极材料,其中于电子放出瓷器组成物表面,形成V,Ta,Nb,Sc,Y,La,Dy,Ho,Hf,Cr,Mo,W或此等之氧化物,氮化物或碳化物为主成份之导电体层或半导体层者。3. 一种放电灯电极材料之制造方法,为由选自0.5-1.5莫耳之BaO,CaO或SrO之第1成份,和选自0.05-0.95莫耳之ZrO@ss2或TiO@ss2之第2成份,和选自0.025-0.475莫耳之V@ss2O@ss5,Nb@ss2O@ss5,Ta@ss2O@ss5,Sc@ss2O@ss3,Y@ss2O@ss3,La@ss2O@ss3,Dy@ss2O@ss3,Ho@ss2O@ss3,0.05-0.95莫耳之HfO@ss2,CrO@ss3,MoO@ss3,WO@ss3之第3成份所构成之放电灯电极材料之制造方法中,其特征系在于将上述各成份混合、粉碎,将混合、粉碎者加以假烧成,将假烧成者加以微粉碎,将微粉碎者加以混合、颗粒化,将颗粒化者填充于电极容器,将填充于电极容器者还原烧成者。4. 如申请专利范围第3项之放电灯电极材料之制造方法,其中,混合之成份或微粉碎之材料的平均粒径为2.5m以下者。5. 如申请专利范围第3项之放电灯电极材料之制造方法,其中,于中性及还原性气体气份中进行烧成者。6.如申请专利范围第3项之放电灯电极材料之制造方法,其中,还原烧成温度为1200℃以上者。7. 一种放电灯电极,其特征系在于将由选自0.5-1.5莫耳之BaO,CaO或SrO之第1成份,和选自0.05-0.95莫耳之ZrO@ss2或TiO@ss2之第2成份,和选自0.025-0.475莫耳之V@ss2O@ss5,Nb@ss2O@ss5,Ta@ss2O@ss5,Sc@ss2O@ss3,Y@ss2O@ss3,La@ss2O@ss3,Dy@ss2O@ss3,Ho@ss2O@ss3,0.05-0.95莫耳之HfO@ss2,CrO@ss3,MoO@ss3,WO@ss3之第3成份所构成块状或粒状或多孔质状之放电灯电极材料,收容于有底圆筒状半导体瓷器容器者。8. 如申请专利范围第7项之放电灯电极,其中,圆筒状半导体瓷器及块状或粒状或多孔质状之半导体瓷器之表面则经由高融点导电物质所被覆者。9. 如申请专利范围第7项之放电灯电极,其中,高融点导电物质系融点1400℃以上之氧化物,氮化物或碳化物者。10. 一种放电灯电极,系由封入放电气体之细长玻璃管之管端部导出导线之放电灯电极中,其特征系在于,该放电灯电极系由支持于导线之端部之半导体瓷器有底圆筒,和收纳于该半导体瓷器有底圆筒内之电子放出性半导体瓷器,和配设于前述半导体瓷器有底圆筒和前述导线之导出部之间,固定于导线之汞分散器所成者。11. 如申请专利范围第10项之放电灯电极,其中,将导线经由卷绕于汞分散器周围,使导线固定于汞分散器者。12. 如申请专利范围第10项之放电灯电极,其中,藉由导线之弹拨力,使导线固定于汞分散器者。13. 如申请专利范围第10项之放电灯电极,其中,经由将导线和汞分散器加以熔接,使导线固定于汞分散器者。14. 一种放电灯电极,系由封入放电气体之细长玻璃管之管端部导出导线之放电灯电极中,其特征系在于,该放电灯电极系由支持于导线之端部之半导体瓷器有底圆筒,和收纳于该半导体瓷器有底圆筒内之电子放出性半导体瓷器,和邻接前述半导体瓷器有底圆筒配设于前述半导体瓷器有底圆筒和前述导线之导出部之间之汞分散器所成者。15. 如申请专利范围第14项之放电灯电极,其中,将导线经由卷绕于汞分散器及半导体瓷器有底圆筒之周围者、分散器者。16. 如申请专利范围第14项之放电灯电极,其中,于导线之端部形成复数之分支部,经由该分支部,挟持汞分散器及半导体瓷器有底圆筒者。图示简单说明:第1图系适用萤光放电灯之液晶显示装置用背光光源之斜视图。第2图(a)(b)系往例之背光用萤光放电灯之整体断面图及管端部断面图。第3图系其他往例之背光光源用萤光放电灯之管端部断面图。第4图(a)(b)系另一往例之背光用萤光放电灯之整体断面图及放电电极之扩大断面图。第5图系本发明之电极制造方法之工程图。第6图显示管电流及放电开始电压之关系图。第7图系显示管电流及管电压之关系图。第8图系显示管电流及管电压之关系图。第9图(a),(b)系本发明第1实施例之放电灯之管端部截面图及于b—b线切断之截面图。第10图系本发明第2实施例之放电灯之管端部截面图。第11图系本发明第3实施例之放电灯之管端部截面图。第12图(a),(b)系本发明第4实施例之放电灯之管端部截面图及于b—b线切断之截面图。第13图(a),(b)系本发明第5实施例之放电灯之管端部截面图及于b—b线切断之截面图。
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