| 主权项 |
1.一种双复晶矽层唯读记忆体,适用于一半导体基底上,该唯读记忆体包括:复数位元线,形成于该半导体基底中;复数第一字元线,形成于该半导体基底上方;复数第二字元线,形成于该半导体基底上每两相邻之该等第一字元线之间;其特征在于:该等第一字元线和第二字元线系藉一薄间隔物区隔之复晶矽层,并与交叉之该等位元线织成排列致密之复数记忆单元。2.如申请专利范围第1项所述之唯读记忆体,其中,该等第一字元线和第二字元线为复晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之唯读记忆体,其中,该等第一字元线和第二字元线具有相同的节距(pitch)。4.如申请专利范围第1项所述之唯读记忆体,其中,该等字元线上方具有凹槽,提供为该等记忆单元编码布植之用。5.如申请专利范围第1项所述之唯读记忆体,其中,该间隔物为氧化物。6.如申请专利范围第1项所述之唯读记忆体,其中,该等位元线为杂质扩散区。7.如申请专利范围第1项所述之唯读记忆体,其中,该等字元线节距为该等位元线节距之二倍。图示简单说明:第1图为上视图,绘示习知之唯读记忆体结构。第2图绘示依照第1图沿Ⅱ-Ⅱ线切割之剖面图。第3图为依照本创作一较佳实施例之唯读记忆体结构上视图。 |
