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发明名称 METHOD OF MANUFACTURING A GATE INSULATION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR960007720(B1) 申请公布日期 1996.06.08
申请号 KR19960000484 申请日期 1996.01.12
申请人 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY K.K. 发明人 SUNPAEIGY, YAMAJAKI;HONKIYONG, JANG;TAKASHI, MINUSHIMA;TAKESHI, FUKADA
分类号 H01L27/088;H01L27/12;(IPC1-7):H01L27/088 主分类号 H01L27/088
代理机构 代理人
主权项
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