| 发明名称 | 动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法，适用于形成有MOS电晶体的基板上，而上述动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法包括下列步骤：于上述基板上形成绝缘层；于上述绝缘层上形成第一遮蔽层；于上述第一遮蔽层及绝缘层形成与上述MOS电晶体之汲极区及源极区中之一者接触的接触窗；于上述接触窗及第一遮蔽层上依序形成第一导电层及第二遮蔽层，且使上述第一导电层及第二遮蔽层形成有侧边；于上述第一导电层及第二遮蔽层的侧边形成第二导电边墙间隔物；去除上述第一遮蔽物及第二遮蔽物；于上述第一导电层及第二导电边墙间隔物的表面上形成介电层；以及于上述介电层的表面上形成第二导电层。 | ||
| 申请公布号 | TW279264 | 申请公布日期 | 1996.06.21 |
| 申请号 | TW083110363 | 申请日期 | 1994.11.09 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 洪允锭;徐震球;陈立哲;郑志祥 |
| 分类号 | H01L27/108 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一 | |
| 主权项 | 2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,先去除上述第二遮蔽层,然后去除上述第一遮蔽层。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,先去除上述第一遮蔽层,然后去除上述第二遮蔽层。4.如申请专利范围第2或3项所述之动态随存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,上述第一导电层、第二导电边墙间隔物以及第三导电层为复晶矽。5.如申请专利范围第4项所述之动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,上述绝缘层为氧化物、第一遮蔽物为氮化物以及第二遮蔽物为氧化物。6.如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,上述介电层由氮化物及氧化物构成 。7.如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,上述介电层由氧化物、氮化物及氧化物构成。图示简单说明:第1图系显示动态随机存取记忆体的记忆单元部份的电路图;第2图系显示习知动态随机存取记忆单元部份的剖面图;第3图系显示用以说明本发明之第一实施例的剖面图;以及 | ||
| 地址 | 新竹科学工业园区工业东三路三号 | ||