发明名称 新颖之通路孔外形及制造方法
摘要 一种避免通路分离的新颖高绩效及可靠的相互连接结构。本发明的相互连接结构包括一个伸入并下切在下面的连接线的通路连接,以便将通路连接锁在相互连接线上。
申请公布号 TW289152 申请公布日期 1996.10.21
申请号 TW084104522 申请日期 1995.05.06
申请人 英特公司 发明人 艾伦.M.梅尔斯;贝彭;彼得.K.查维特;汤玛斯.A.莱森;杨希妮
分类号 H01L23/525 主分类号 H01L23/525
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1. 一种积体电路之相互连接结构,包括:一相互连接,以及一通路连接,其中该通路连接伸入相互连接并且下切该相互连接。2. 根据申请专利范围第1项之相互连接结构,其中该相互连接结构包括一个铝合金层。3. 根据申请专利范围第1项之相互连接结构,其中该相互连接结构进一步包括一个耐火金属导体。4. 根据申请专利范围第3项之相互连接结构,其中通路连接下切该耐火金属导体。5. 根据申请专利范围第1项之相互连接结构,其中该相互连接结构包括一个成形于铝合金层上的钛铝化物层并且其中通路连接下切该相互连接的钛铝化物层。6. 一种成形于半导体基体上之积体电路之相互连接结构,包括:一包括在该基体上的铝的第一导电层;一包括在一个在第一导电层上的耐火金属层的第二导电层;一在该第二导电层上的绝缘层;以及一通路连接,该通路连接有一第一部份穿透第二导电层以及一第二部份伸入第一导电层,其中该通路连接的第二部份较第一部份为宽。7. 根据申请专利范围第6项之相互连接结构,进一步包括一在绝缘层以及第二导电层之间的钛氮化合物层。8. 根据申请专利范围第6项之相互连接结构,进一步包括一第三导电层,该第三导电层包括位于第一导电层下的耐火金属。9. 根据申请专利范围第8项之相互连接结构,其中在第一导电层之下的耐火金属是钛。10. 根据申请专利范围第6项之相互连接结构,其中通路连接伸入至少一半到第一导电层内。11. 根据申请专利范围第6项之相互连接结构,其中通路连接包括钨。12. 根据申请专利范围第6项之相互连接结构,其中第二导电层是三铝化钛。13. 根据申请专利范围第12项之相互连接结构,其中第二导电层厚度是在300到1500埃之间。14. 根据申请专利范围第6项之相互连接结构,其中通路连接伸入该导电层内1000到3500埃之间。15. 根据申请专利范围第6项之相互连接结构,其中该通路连接的第二部份较该第二相互连接内的通路连接的第二部份宽1000到3000埃。16. 一种在半导体基体的积体电路上形成相互连接结构的方法,包括以下步骤:在基体上形成一第一导电层;在第一导电层上形成一第二导电层;在第二导电层上形成一绝缘层;在绝缘层以及该第二导电层上形成一第一开口在第一开口之下的第一导电层内形成一第二开口,其中该第二开口较在该第二导电层内的第一开口为宽。17. 根据申请专利范围第16项之方法,其中第二开口藉着蚀刻剂蚀刻而成形,蚀刻剂对于关于该第二导电层的第一导电层有选择性。18. 根据申请专利范围第17项之方法,其中蚀刻剂是湿蚀刻剂。19. 根据申请专利范围第18项之方法,其中第二开口的成形步骤包括以下步骤:将基体曝露于一包括PRS-3000的解决方法;将基体曝露于一包括水的解决方法;在将基体曝露于该包括水的解决方法之后,让该基体放置一段预先决定的时间;漂洗基体;并且弄乾基体。20. 根据申请专利范围第16项之方法,其中第一导电层是铝合金层。21. 根据申请专利范围第16项之方法,其中第二导电层是铝/耐火金属层。22. 根据申请专利范围第21项之方法,其中第二导电层是钛铝合金层。23. 根据申请专利范围第22项之方法其中形成该第二导电层的该步骤包括以下步骤:在该铝合金层上形成一钛层,并且加热铝合金层以及钛层,直到所有钛层对铝合金层起反应以形成钛铝合金层。24. 根据申请专利范围第16项之方法,进一步包括在第一导电层之下以及在基体之下形成钛层的步骤。25.根据申请专利范围第16项之方法,其中第二开口只有部份穿透该第一导电层。26. 一种形成相互连接结构之加工方法,包括以下步骤:形成相互连接;第一次蚀刻该相互连接以形成一个在该相互连接中有第一宽度的第一开口在第一开口的下方第二次蚀刻相互连接以便该相互连接稍后被蚀刻以形成一个较第一开口更深入相互连接的第二开口。27. 根据申请专利范围第26项之加工方法其中该第一蚀刻透过该相互连接的导电覆盖层形成该第一开口,并且其中该第二蚀刻,稍后蚀刻该导电覆盖层的下方。28.根据申请专利范围第27项之加工方法,其中第一蚀刻是乾蚀刻。29. 根据申请专利范围第27项之加工方法,其中第二蚀刻是湿蚀刻。30. 根据申请专利范围第27项之加工方法,其中相互连接的导电覆盖顶部层包括钛铝化物,并且其中该相互连接包括一铝合金。图示简单说明:图1a是一个已知技术的相互连接结构横断面图示。图1b是一个已知技术的相连接结构中通路分离的图示。图2是一个根据本发明较佳具体实例的新颖相互连接结构的横断面图示。图3a是一个在半导体基体上有绝缘层形成并且在绝缘层上有复数金属层的横断面图示。图3b是在图3a基体上,在相互连接线内金属层的雏形的横断面图示。图3c是一个在图3b基体上,通路开口构造的横断面图示。图3d是一个在图3c基体上的相互连接线锚形开口构造的横断面图示。图3e是一个在图3d基体上通路连接构造的横断面图示。图3f是一个在图3e基体上第二相互连接构造的横断面图示
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