| 主权项 |
1. 一种去除半导体晶圆表面粒子的装置,其包括:-清洁室,在其中该半导体晶圆被一电子流辐射,藉此使该半导体晶圆与该些粒子之间带有电子斥力,用以将该些粒子从该半导体晶圆表面上去除;-电性中和室,在其中该带电的半导体晶圆被中和,以防止再有粒子被吸附于该半导体晶圆的表面上;以及-真空系统,连接至该清洁室和该中和室,其中该真空系统带走该清洁室内从该半导体晶圆表面去除的该些粒子。2. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中该电子流是由一个在该清洁室内的电子枪所产生的。3. 如申请专利范围第2项所述之装置,其中该电子枪包括一加速系统,一聚焦系统,以及一扫描系统。4. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中该电子流是由电子的短暂丛发所构成,且其中该电子流使该些粒子和该半导体晶圆带有适度的电荷以造成该电子斥力。5. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中该半导体晶圆的表面是一导电层,且其中该半导体晶圆是在该中和室内藉由将该晶圆接地以中和其所带电荷。6. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中该半导体晶圆的表面是一介电质层,且其中该半导体晶圆是在该中和室内被施予一氢离子流以中和其所带电荷。7. 如申请专利范围第6项所述之装置,其中该氢离子流是由一个在该电性中和室内的氢离子枪所产生的。8. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中该装置是用在该半导体晶圆制造过程的任一个步骤之前。9. 如申请专利范围第6项所述之装置,其中该装置是用在该半导体晶圆制造过程的任一个步骤之后。10. 一种去除半导体晶圆表面粒子的方法,其包括:以电子流辐射该半导体晶圆,藉此使该半导体晶圆与该些粒子之间带有电子斥力,用以将该些粒子从该半导体晶圆表面上去除;以及中和该带电的半导体晶圆,以防止再有粒子被吸附于该半导体晶圆的表面上。11. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中该半导体晶圆是在真空情况下被清除该些粒子的,且其中有一真空系统带走从该半导体晶圆表面去除的该些粒子。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该电子流是由一电子枪所产生的。13. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中该电子流是由电子的短暂丛发所构成,且其中该电子流使该些粒子和该半导体晶圆带有适度的电荷以造成该电子斥力。14. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中该半导体晶圆的表面是一导电层,且其中该半导体晶圆是藉由将该晶圆接地以中和其所带电荷。15. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中该半导体晶圆的表面是一介电质层,且其中该半导体晶圆施予一氢离子流以中和其所带电荷。16. 如申请专利范围第15项所述之方法,其中该氢离子流是由一氢离子枪所产生的。17. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中该方法是施于该半导体晶圆制造过程的任一个步骤之前。18.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该方法是施于该半导体晶圆制造过程的任一个步骤之后。图示简单说明:第1A和1B图是剖面示意图,绘示本发明装置两种可能的配 |
