| 主权项 |
1. 一种半导体制造装置,其包括:一夹持晶圆之旋转夹头;一位于旋转夹头上方之第一供应喷头及连接至旋转夹头较低端之第二供应喷头;分别连接至第一及第二喷头之端部的第一及第二化学流体供应管;分别连接至第一及第二喷头之端部的第一及第二去离子水供应管;以及连接至该第一供应喷头端部以提供形成亲水性流体之供应管。2. 如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中每一供应管具有一作为控制流经各别管流体之量的空气阀。3. 如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中该形成亲水性液体系过氧化氢水。4. 如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其包括:一夹持晶圆之旋转夹头;一位于旋转夹头上方之第一供应喷头及连接至旋转夹头较低端之第二供应喷头;分别连接至第一及第二喷头之端部的第一及第二化学流体供应管;分别连接至第一及第二喷头之端部的第一及第二去离子水供应管;以及连接至该第一去离子水供应喷头端部以提供亲水性制成流体之供应管。5. 如申请专利范围第4项之半导体制造装置,其中形成亲水性液体供应管及该去离子水供应管之每一供应管分别具有一用以防止回流之检测阀。6. 一晶圆处理方法,其包括:化学处理该晶圆之第一制程;作为以去离子水清洗该晶圆之第二制程;处理已藉形成亲水性液体而以该去离子水清洗之晶圆的第三制程;以及供清洗在第三制程中已经以去离子水处理之该晶片之第四制程。7. 如申请专利范围第6项之晶圆处理方法,其中,该亲水制成材料系使厌水性活化材料变为亲水性材料之液体。8. 如申请专利范围第7项之晶圆处理方法,其中,过氧化氢水系作为形成亲水性液体。图示简单说明:第1图系供处理晶圆之传统半导体制造装置的视图;第2图系如本发明之第一实施例的半导体制造装置的视图;第3图系如本发明之第二实施例的半导体制造装置的视图 |
