发明名称 SUBSTRATE AND METHOD FOR PREPARING THE BREAKING UP OF A SUBSTRATE FOR AT LEAST ONE POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT
摘要 본 발명은, 하나 이상의 전력 반도체 부품용 기판(1)의 분단을 준비하는 방법으로서, a) 전기적으로 비도전성인 절연 재료 본체(2)를 갖는 기판(1)을 마련하는 기판 마련 단계와, b) 기판(1)의 소기의 파단 에지(A, B, C, D, E)를 따라 절연 재료 본체(2)로부터 재료를 제거하는 재료의 제거 단계로서, 2개 이상의 소기의 파단 에지(A, B, C, D, E)가 만나는 코너 영역(14)에서 수행되는 재료의 제거 정도가 소기의 파단 에지(A, B, C, D, E)의 다른 영역(17)에서 수행되는 재료의 제거에 비해 크도록, 재료의 제거가 수행되는 재료의 제거 단계를 포함하는 기판의 분단 준비 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이와 관련된 기판(1)에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 1개 이상의 전력 반도체 부품용 기판(1)을 분단할 때, 절연 재료 본체에서 원하지 않은 파손을 줄일 수 있게 된다.
申请公布号 KR101677792(B1) 申请公布日期 2016.11.18
申请号 KR20130077197 申请日期 2013.07.02
申请人 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 发明人 노베르트 크라우스;게오르그 타이스
分类号 H01L21/301;H01L21/78 主分类号 H01L21/301
代理机构 代理人
主权项
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