| 主权项 |
1.一种多晶矽熔丝,其形成于一基材上,包括:一场氧化层,其布置于该基材上;一多晶矽区段,其布置于该场氧化层上;一介电层,其布置于该多晶矽区段上;一局部化SOG层,其布置于该介电层上;该局部SOG层有一顶表面、一底表面及一周缘表面,该底表面与该介电层接触,而该局部化SOG层被四周围绕之至少一第一金属与一第二金属层所隔离,该第一金属层与该介电层接触。2.如申请专利范围第项之多晶矽熔丝,其中该SOG层系由旋涂制程所形成。3.如申请专利范围第一项之多晶矽熔丝,更进一步包括一保护膜,其形成于该SOG层上。4.如申请专利范围第一项之多晶矽熔丝,其中该第一金属层由一周缘式的钨插塞连结至该第一金属层。5.如申请专利范围第一项之多晶矽熔丝,其中该介电层系由沈积硼磷矽玻璃(BPSG)所形成。6.如申请专利范围第一项之多晶矽熔丝,其中该多晶矽区段之顶表面上有一矽化钨形成其上。7.一种于一基材上制造一多晶矽熔丝的方法,其包括如下步骤:(a)于该基材上,形成一场氧化层;(b)于该场氧化层上,形成一多晶矽区段,该多晶矽区段有一中段部分;(c)于该多晶矽区段上,形成一介电层;(d)于该介电层上,形成一第一金属层,该第一金属层之路径在介电层上界定了一围绕区域,该区域实质上对应于该多晶矽区段之该中段部分;(e)于实质上该围绕区域之该介电层上,形成一SOG层;(f)于该SOG层中,形成一环绕的介层洞;(g)于该环绕的介层洞内,形成一内金属介层插塞,该介层插塞与该第一金属层接触;(h)于该内金属介层插塞上,形成一第二金属层。该第二金属层之路径系实质上对应于该第一金属层之路径;因而,该SOG层有一顶表面、一底表面及一周缘表面,且该底表面系与该介电层接触,而该SOG层因此被四周围绕的该第一金属及第二金属层所隔离。8.如申请专利范围中第七项之方法,其中该SOG层系由旋涂制程所形成。9.如申请专利范围中第七项之方法,其更进一步包括一于该SOG层上形成一保护膜的步骤。10.如申请专利范围中第七项之方法,其中该环绕的介层插塞系一钨插塞。11.如申请专利范围第七项之方法,其中该介电层系由硼磷矽玻璃(BPSG)之沈积所形成。12.如申请专利范围第七项之方法,于步骤(b)及(c)之间,更进一步包括一于该多晶矽区段之顶表面上形成一矽化钨层的步骤。图示简单说明:图一系习知多晶矽熔丝之顶视图。图二系沿图一(A-A)线之剖图。图三系本发明多晶矽熔丝之顶视图。图四系沿图三(A-A)线之剖面图。 |
