发明名称 一种薄膜磁阻传感器
摘要 本实用新型涉及一种传感器,尤其是一种薄膜磁阻传感器,具体地说是一种用于磁场中电流、位置、移动角度,角速度等量检测的传感器。按照本实用新型提供的技术方案,所述薄膜磁阻传感器,包括种子层;参考层,位于种子层上,产生第一交换耦合场;非磁性隔离层,位于参考层上,将参考层与自由层相隔离;自由层,位于非磁性隔离层上,感应外磁场变化,并产生第二交换耦合场,所述第二交换耦合场与第一交换耦合场互相垂直。本实用新型磁滞小、测量精度和线性度高、线性范围可调、制作工艺简单、响应频率高、制造成本低及抗干扰能力强。
申请公布号 CN201697638U 申请公布日期 2011.01.05
申请号 CN201020217380.1 申请日期 2010.06.01
申请人 王建国;薛松生 发明人 王建国;薛松生
分类号 G01D5/12(2006.01)I;G01D5/14(2006.01)I 主分类号 G01D5/12(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人 曹祖良
主权项 一种薄膜磁阻传感器,其特征是,包括种子层;所述种子层上设有参考层,所述参考层上设有非磁性隔离层;所述非磁性隔离层上设有自由层。
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