| 主权项 |
1.一种磁场感测装置,至少包含:一导电堆叠结构,形成于一半导体基底上,其中该导电堆叠结构至少包含多数个紧邻的离子掺杂层,且各离子掺杂层的离子浓度由上往下递减;一第一导电接触点,位于该多数个离子掺杂层之最上层的第一端;及一第二导电接触点,位于该多数个离子掺杂层之该最上层的第二端,电流经由该第一接触点流入该导电堆叠结构,并由该第二导电接触点流出,一水平方向之磁场作用于该磁场感测装置。2.如申请专利范围第1项之磁场感测装置,其中上述之离子掺杂层系以N型离子掺杂。3.如申请专利范围第1项之磁场感测装置,其中上述之导电堆叠结构至少包含一第一层,位于该导电堆叠结构之最上端;一第二层,位于该导电堆叠结构之中间位置;及一第三层,位于该导电堆叠结构之最底端。4.如申请专利范围第3项之磁场感测装置,其中上述第一层之浓度约为5E15原子/cm2,该第二层之浓度约为5E14原子/cm2,且该第三层之浓度约为5E13原子/cm2。5.如申请专利范围第3项之磁场感测装置,其中上述导电堆叠结构之长度约为100微米,该导电堆叠结构之宽度约为10微米,且该导电堆叠结构之深度约为5微米。6.如申请专利范围第1项之磁场感测装置,更包括一保护层,形成于该第一导电接触点及该第二导电接触点上。7.如申请专利范围第1项之磁场感测装置,更包含多数个隔离区,邻近于该导电堆叠结构旁,以局限流经该导电堆叠结构内的电流。8.一种磁场感测装置,至少包含:一导电堆叠结构,形成于一半导体基底上,其中该导电堆叠结构至少包含多数个紧邻的离子掺杂层,且各离子掺杂层的离子浓度由上往下递减;一第一导电接触点,位于该多数个离子掺杂层之最上层的第一端;一第二导电接触点,位于该多数个离子掺杂层之该最上层的第二端,电流经由该第一接触点流入该导电堆叠结构,并由该第二导电接触点流出,一水平方向之磁场作用于该磁场感测装置;及多数个隔离区,邻近于该导电堆叠结构旁,以局限流经该导电堆叠结构内的电流。9.如申请专利范围第8项之磁场感测装置,其中上述之离子掺杂层系以N型离子掺杂。10.如申请专利范围第8项之磁场感测装置,其中上述之导电堆叠结构至少包含一第一层,位于该导电堆叠结构之最上端;一第二层,位于该导电堆叠结构之中间位置;及一第三层,位于该导电堆叠结构之最底端。11.如申请专利范围第10项之磁场感测装置,其中上述第一层之浓度约为5E15原子/cm2,该第二层之浓度约为5E14原子/cm2,且该第三层之浓度约为5E13原子/cm2。12.如申请专利范围第10项之磁场感测装置,其中上述导电堆叠结构之长度约为100微米,该导电堆叠结构之宽度约为10微米,且该导电堆叠结构之深度约为5微米。13.如申请专利范围第8项之磁场感测装置,更包含一保护层,形成于该第一导电接触点及该第二导电接触点上。14.一种磁场感测装置,至少包含:多数个导电堆叠结构,形成于一半导体基底上,其中该导电堆叠结构至少包含多数个紧邻的离子掺杂层,且各离子掺杂层的离子浓度由上往下递减;一第一导电接触点,位于每一个该导电堆叠结构之该多数个离子掺杂层之最上层的第一端;及一第二导电接触点,位于每一个该导电堆叠结构之该多数个离子掺杂层之该最上层的第二端,电流经由该第一接触点流入该导电堆叠结构,并由该第二导电接触点流出,至少一水平方向之磁场作用于该磁场感测装置。15.如申请专利范围第14项之磁场感测装置,其中上述之离子掺杂层系以N型离子掺杂。16.如申请专利范围第14项之磁场感测装置,其中上述之导电堆叠结构至少包含一第一层,位于该导电堆叠结构之最上端;一第二层,位于该导电堆叠结构之中间位置;及一第三层,位于该导电堆叠结构之最底端。17.如申请专利范围第16项之磁场感测装置,其中上述第一层之浓度约为5E15原子/cm2,该第二层之浓度约为5E14原子/cm2,且该第三层之浓度约为5E13原子/cm2。18.如申请专利范围第16项之磁场感测装置,其中上述导电堆叠结构之长度约为100微米,该导电堆叠结构之宽度约为10微米,且该导电堆叠结构之深度约为5微米。19.如申请专利范围第14项之磁场感测装置,更包括一保护层,形成于该第一导电接触点及该第二导电接触点上。20.如申请专利范围第14项之磁场感测装置,更包含多数个隔离区,邻近于该多数个导电堆叠结构旁,以局限流经该导电堆叠结构内的电流。图示简单说明:第一图显示传统霍尔(Hall)感测器。第二A图显示本发明实施例之透视图。第二B图显示本发明另一实施例之透视图。第二C图显示第二B图之感测器的剖面图。第二D图显示感测器之剖面图,及电流受到磁场影响之路径。第三图显示本发明另一实施例之感测器,用以同时测量不同方向之磁场。 |
