| 摘要 |
<p>Cette invention se rapporte à une diode à semi-conducteur émettrice de rayonnement ayant la structure de matériau InGaP/InAlGaP, avec une barrière (4A) pour les porteurs de charge située entre la couche active (2) et l'une des couches de revêtement (1, 3). Une telle diode possède une longueur d'ondes d'émission comprise entre 0,6 et 0,7 νm et elle est particulièrement indiquée, lorsqu'elle est construite comme laser à diode, pour servir de source de rayonnement notamment dans un système de lecture et/ou d'écriture de disques optiques, également en raison d'une efficacité accrue. L'un des désavantanges des diodes connues réside dans le fait qu'elles sont insuffisamment capables de fournir une puissance optique élevée et qu'elles ne peuvent pas être fabriquées avec un rendement élevé et une reproductibilité satisfaisante. Dans une diode de cette invention, la barrière (4A) comprend une seule couche barrière (4) de AlP. On a découvert qu'elle telle diode possède une efficacité étonamment élevée ainsi qu'une durée de vie particulièrement longue. L'efficacité de cette diode est approximativement 30 % supérieure à celle d'une diode comparable sans couche barrière (4). La durée de vie d'une diode de cette invention est très longue, par exemple 4000 heures. Etant donné que le problème de régulation de composition de la couche barrière (4) est non existant pour créer la couche de AlP, la diode de cette invention peut être fabriquée avec une bonne reproductibilité et un rendement élevé. La couche barrière de AlP (4) comporte de préférence une épaisseur inférieure à 5 nm, par exemple 2,5 nm. Il est très surprenant qu'une épaisseur si petite de la couche barrière (4) continue d'être accompagnée par une excellente efficacité en tant que barrière (4A).</p> |
