| 发明名称 |
半导体结构 |
| 摘要 |
本发明涉及一种半导体结构，其包括：一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的一侧，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的一侧；一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的一侧，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；以及一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的一侧，所述第一光学对称层的折射率n<sub>1</sub>与所述缓冲层和有源层的整体的等效折射率n<sub>2</sub>的差值∆n<sub>1</sub>于等于0.3，其中∆n<sub>1</sub>=|n<sub>1</sub>‑n<sub>2</sub>|。 |
| 申请公布号 |
CN103474548B |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
| 申请号 |
CN201210185722.X |
申请日期 |
2012.06.07 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
张淏酥;朱钧;李群庆;金国藩;范守善 |
| 分类号 |
H01L33/44(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种半导体结构，其包括：一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；其特征在于，进一步包括一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离第一半导体层的表面并接触设置，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；一金属层设置于所述第三光学对称层远离第一半导体层的表面并接触设置；一第四光学对称层设置于所述金属层远离第一半导体层的表面并接触设置，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；以及一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离第一半导体层的表面并接触设置，所述第一光学对称层的折射率n<sub>1</sub>与有源层的整体的等效折射率n<sub>2</sub>的差值Δn<sub>1</sub>小于等于0.3，其中Δn<sub>1</sub>＝|n<sub>1</sub>‑n<sub>2</sub>|。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
