| 主权项 |
1.一种电晶体之配置方法,其系就至少具有一个电晶体之分格,依据记述于分格之电晶体之连接资讯及各种电晶体之尺寸资讯之连接表,来决定在分格领域之电晶体配置者,其特征为:分格之上下方向高度为被设定成规定値,分格左右向之宽度为可变时,备有:将分格领域分割为上下之P通道领域与N通道领域,依据上述连接表,放置分格所具之P型电晶体在P通道领域以对准分格之上下方向与闸宽度方向之纵置状态在分格之左右方向配置成1列,并且,将分格所具之N型电晶体在N通道领域以纵置状态在分格之左右方向配置成1列之一次元配置制程,与对于上述一次元配置制程之电晶体配置结果,在各通道领域可将电晶体向分格左右方向配置成复数列并且可将电晶体对准分格之左右方向与闸宽度方向放置之横置状态之配置之后,进行电晶体之配置变更使分格宽度变小之二次元配置制程。2.如申请专利范围第1项之电晶体配置方法,其中备有从上述连接表,抽出扩散电极互相形成不包含分岐之串联连接之同一导电型电晶体,将所抽出之电晶体结合成1个群组之群组形成制程,上述一次元配置制程及二次元配置制程,系于上述群组形成制程将结合成1个群组之电晶体做为单一配置元件,进行电晶体之配置。3.如申请专利范围第1项之电晶体配置方法,其中上述一次元配置制程及二次元配置制程,系使用依据在分格配线长度推定値之评价指标,进行电晶体之配置。4.如申请专利范围第3项之电晶体配置方法,其中上述一次元配置制程及二次元配置制程,系将各连接之配线依据连接之定位分为复数成分,而依所分之各成分来推定配线长度,而将对于各成分之配线长度之推定値分别加份量値之和做为电晶体配置之评价指标使用。5.如申请专利范围第4项之电晶体配置方法,其中上述一次元配置制程及二次元配置制程,系将各连接之电线分为分配于聚矽层之成分与分配给金属层之成分,而将对于分配于聚矽层之成分配线长度之推定値与分配于金属层成分之配线长度之推定値加相异份量之和値做为电晶体配置之评价指标使用。6.如申请专利范围第1项之电晶体配置方法,其中分格为MOS逻辑分格,备有依据连接表,对于各电晶体,设定从电晶体到有关此电晶体之讯号输出端子路径上之闸个数阶层之阶层设定制程,上述一次元配置制程系,使用由上述阶层设定制程之各电晶体之阶层,来决定电晶体之排列顺序。7.如申请专利范围第1项之电晶体配置方法,其中备有:从上述一次元配置制程之电晶体配置结果,依分格左右方向之电晶体之配置位置求取配线横成分之配线密度,而由一电晶体配置位置之电晶体高度与配线横成分之配线密度之和所形成之布置高度若超过设定値时,将配置于上述一电晶体配置位置之电晶体藉由闸折返加以分割,将所分割之电晶体做为新配置元件,来修正上述一次元配置制程之电晶体配置结果之电晶体折返制程。8.一种电晶体配置方法,其系就至少具有一个电晶体之分格,依据记述于分格之电晶体之连接资讯之连接表,来决定在分格领域之电晶体配置者,其特征为备有:从上述连接表,抽出扩散电极互相形成不包含分岐之串联连接之同一导电型电晶体,将所抽出之电晶体结合成一个群组之群组制程,于上述群组形成制程将结合成一个群组之电晶体做为单一配置元件,进行电晶体之配置。9.一种电晶体配置方法,其系就至少具有一个电晶体之分格,依据记述在分格之连接资讯之连接表,来决定分格资讯之电晶体之配置者,将各连接之配线依据在连接之定位分为复数成分,依所分之各成分推定配线长度,将对于各成分之配线长度之推定値分别加份量之和値做为评价指标使用,来决定电晶体之配置。10.如申请专利范围第9项之电晶体配置方法,其中分为各连接之配线分配给聚矽层之成分与分配给金属层之成分,对于分配给聚矽层之成分之配线长度推定値与分配于金属层之成分之配线长度推定値加份量之和値做为评价指标使用来决定电晶体之配置方法。11.一种电晶体配置方法,其系就至少具有一个电晶体之MOS逻辑分格,依据在分格记述电晶体之连接资讯之连接表,来决定分格领域之各电晶体之配置者,其特征为备有:依据连接表,对于各电晶体,设定从电晶体到此电晶体有关之讯号输出端子路径上之闸个数之阶层之阶层设定制程,与依据上述连接表,将分格所具之电晶体在分格领域配置成列状之配置制程,上述配置制程系,使用于上述阶层设定制程所设定之各电晶体之阶层,来决定电晶体之排列顺序。12.一种电晶体配置方法,其系就至少具有一个电晶体之分格,依据记述在分格之电晶体之连接资讯之连接表及从半导体制造技术所导出之光罩设计规则,来决定在分格领域之电晶体之配置者,其特征为备有:将复数晶格点向分格之左右方向排列来设定晶格点列,同时,将配置P型电晶体之P通道领域及配置N型电晶体之N通道领域并联地设定于上述晶格点,由于依据连接表将上述分格所具之P型电晶体在上述P通道领域就一晶格点位置各配置一个同时上述分格所具之N型电晶体在上述N通道领域就一晶格点位置配置各一个,来形成晶格点列上之电晶体配置之第一制程,与依据晶格点列上之电晶体配置,藉于各通道领域从分格之左右分向一侧向他侧依序可以满足上述光罩设计规则在光罩图上配置,从上述晶格点列上之电晶体配置形成光罩图上之电晶体配置之第二制程,与评价形成于上述第二制程之光罩图上之电晶体配置,依据此评价结果,于成为所评价光罩图上之电晶体配置之基本晶格点列上之电晶体配置来变更电晶体之配置之第三制程,反复进行上述第2及第3制程,上述第2制程系在反复之当初,为从于上述第1制程所形成之晶格点列上之电晶体配置形成光罩图上之电晶体配置之外,第二次以后系于上述第3制程从变更电晶体配置之晶格点列上之电晶体配置来形成光罩图上之电晶体配置。13.如申请专利范围第12项之电晶体配置方法,其中上述第2制程,系将在光罩图上之一电晶体之配置位置,于与此一电晶体相同通道领域在偏靠上述一电晶体之1个一侧晶格点配置有电晶体时,将此电晶体之光罩图上之配置位置为基本来决定之外,若没有配置时,与在上述一电晶体相异之通道领域与在上述一电晶体相同晶格点位置配置有电晶体并且此电晶体之光罩图上之配置位置已经决定时,就依据此电晶体之光罩图上之配置位置来决定。14.如申请专利范围第12项之电晶体配置方法,其中上述第3制程,系将在光罩图上之各连接之扩大依据构成连接之电晶体电极分为复数推定,对于各扩大之推定値分别加份量之和値做为评价指标使用,来评价光罩图上之电晶体配置。15.如申请专利范围第14项之电晶体配置方法,其中上述第3制程,系将在光罩图上之各连接之扩大,分为P型电晶体之扩散电极之扩大,N型电晶体之扩散电极之扩大,闸电极之扩大,及全电极之扩大之4个加以推定,对于各扩大之推定値分别加份量之和値做为评价指价使用,来评价光罩图上之电晶体配置。图示简单说明:第一图系表示分格布置合成(分格合成)方法之处理流程之流程图。第二图系表示有关本发明之电晶体配置方法所做为对象之分格模型之图。第三图系表示有关本发明第1实施形态之电晶体配置方法之处理流程之流程图。第四图系表示连接表所表示电路例之电路略图。第五图系对于第四图电路表示执行有关本发明之群组形成处理结果之图。第六图系用来说明有关本发明之群组形成处理所形成群组内之电晶体配置所用之图,(a)系属于一群组之电晶体,(b)系(a)所示电晶体之布置。第七图系表示一次元空间与电晶体一次元配置模型之图,而系对于第五图所示电路者。第八图系表示将第七图所示电晶体一次元配置结果映射于二次元晶格空间结果之图。第九图系表示电晶体二次元配置最佳化处理之执行过程之电晶体二次元配置之图。第十图系表示电晶体二次元配置最佳化处理之执行结果之图。第十一图,(a)系光罩图样之例,(b)系对应于(a)所示光罩图样之二次元晶格空间上之配置。第十二图系表示代表性配线构造例之图,用来说明有关本发明之配线长度之评价所用之图。第十三图系表示有关本发明第2实施形态之电晶体配置方法之处理流程之流程图。第十四图系为了说明所谓阶层概念所用之图,而表示第四图所示电路之阶层之图。第十五图系表示有关本发明第3实施形态之电晶体配置方法之处理流程之流程图。第十六图系用来说明有关本发明第3实施形态之电晶体之闸折返处理所用之图,(a)系表示闸折返处理前之一次元配置之图,(b)系就表示(a)所示电晶体一次元配置之执行闸折返处理结果之图。第十七图系表示有关本发明第4实施形态之电晶体配置方法之处理流程之流程图。第十八图系表示晶格点列上之电晶体配置一例之图。第十九图表示由有关本发明之群组形成处理所形成之群组具有反相自由度之图,(a)系属于一次群组之电晶体,(b)系表示(a)所示群组之电晶体之晶格点列上之2种配置之图。第二十图系表示晶格点列上配置资料一例之图。第二一图系表示依照先行技术之变换方法将第二十图所示晶格点列上之配置变换为配置于光罩图上结果之图。第二二图系表示从有关本发明之晶格点列上配置对于光罩图上配置之变换方法之基本性处理流程之流程图。第二三图系从有关本发明之晶格点列上配置于光罩图上配置之变换方法,表示在一方之通道领域从左到加右顺着电晶体进行定位处理(LtoR)之流程图。第二四图系表示有关本发明之变换方法将第二十图所示晶格点列上之配置变换为光罩图上之配置结果之图。第二五图系表示于本发明之配置评价所用之连接扩大之图。第二六图系表示对于第四图所示电路执行了有关本发明第4实施形态之电晶体配置方法之结果之晶格点列上配置之图。第二七图系对于第四图所示将有关本发明第4实施形态之电晶体配置方法之结果表示光罩图上电晶体配置之图。 |
