只读存储器阵列及其制造方法

摘要

一种小型只读存储器阵列,包括一个或多个只读存储器库,每个包含许多成对的N+型位线、许多在顶端和位线垂直的传导性字线及平行于字线的左选择线与右选择线。晶体管单元系由相互毗连的位线之邻接部分及伸于其间的字线部分所形成。当位线与字线制造完成后,在晶体管单元之间,经由植入低能量及低浓度的硼杂质于基体而形成绝缘区。接着,这些晶体管单元再藉由植入较高能量和较高浓度的硼杂质而被程序化为通道区。

主权项

1.一种形成在具有一个或多个为一个或多个第一隔离区包围的作用区硅衬底上的只读存储器阵列，该阵列形成于单一作用区内而由一个或数个只读存储器库所组成，每一个只读存储器库包含多条在硅衬底上由相互平行的第一导电型区域形成的位线以及许多平行排列在位线上面且与位线垂直的导电层所形成的多条字线，其中相邻位线的相邻部分形成一个数据单元晶体管的源极与漏极，而延伸在位线相邻部分间字线之一部分形成数据单元晶体管的栅极，该只读存储器阵列更包含与第一导电型相反型的第二导电型隔离区，此区系由植入杂质而形成在相邻的数据单元晶体管间，其中选定的数据单元晶体管藉对选定的数据单元晶体管字线下方相邻位线间之通道区植入杂质而程序化。