发明名称 半导体积体电路装置
摘要 本发明系有关于半导体积体电路装置,特别是有关于差动信号配线或互补信号配线之设计所使用者。至少具备2组由第1极性及与第1极性不同之2个极性所构成之一对信号线;于第1组信号线中之第1极性之信号线旁边,配置第2组信号线中之第1极性之信号线;于第2组之第1极性之信号线旁边,配置上述第1组之第2极性之信号线;于该第1组之第2极性之信号线旁边,配置上述第2组之第2极性之信号线。
申请公布号 TW353774 申请公布日期 1999.03.01
申请号 TW086114091 申请日期 1997.09.26
申请人 东芝股份有限公司 发明人 黑田忠广
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种半导体积体电路装置,其特征为:至少具备2组由第1极性及与第1极性不同之2个极性所构成之一对信号线;于第1组信号线中之第1极性之信号线旁边,配置第2组信号线中之第1极性之信号线;于第2组之第1极性之信号线旁边,配置上述第1组之第2极性之信号线;于该第1组之第2极性之信号线旁边,配置上述第2组之第2极性之信号线。2.一种半导体积体电路装置,其特征为:至少具备2组由第1极性极与第1极性不同之2个极性所构成之一对信号线;将于第1组信号线中之第1极性之信号线旁边,配置第2组信号线中之第1极性之信号线,于第2组之第1极性之信号线旁边,配置上述第1组之第2极性之信号线,于该第1组之第2极性之信号线旁边,配置上述第2组之第2极性之信号线之第1信号线束部;与于第1组信号线中之第2极性之信号线旁边,配置第2组信号线中之第1极性之信号线,于第2组之第1极性之信号线旁边,配置上述第1组之第1极性之信号线,于该第1组之第1极性之信号线旁边,配置上述第2组之第2极性之信号线之第2信号线束部,捻在上述信号线,以使其至少1次以上相互连接。3.一种半导体积体电路装置,其特征为:至少具备2组由第1极性极与第1极性不同之2个极性所构成之一对信号线;将于第1组信号线中之第1极性之信号线旁边,配置第2组信号线中之第1极性之信号线,于第2组之第1极性之信号线旁边,配置上述第1组之第2极性之信号线,于该第1组之第2极性之信号线旁边,配置上述第2组之第2极性之信号线之第1信号线束部;及与于第1组信号线中之第2极性之信号线旁边,配置第2组信号线中之第1极性之信号线,于第2组之第1极性之信号线旁边,配置上述第1组之第1极性之信号线,于该第1组之第1极性之信号线旁边,配置上述第2组之第2极性之信号线之第2信号线束部;及于第1组信号线中之第2极性之信号线旁边,配置第2组信号线中之第2极性之信号线,于第2组之第2极性之信号线旁边,配置上述第1组之第1极性之信号线,于该第1组之第1极性之信号线旁边,配置上述第2组之第1极性之信号线之第3信号线束部;及于第1组信号线中之第1极性之信号线旁边,配置第2组信号线中之第2极性之信号线,于第2组之第2极性之信号线旁边,配置上述第1组之第2极性之信号线,于该第1组之第2极性之信号线旁边,配置上述第2组之第1极性之信号线之第4信号线束部;系捻在上述信号线,以使其至少1次互相连接。4.一种半导体积体电路装置,其特征为:系具有:第1正转信号线;及该第1正转信号线之附近所附设之第2正转信号线;及该第2正转信号线之附近所附设之第1反转信号线;及该第1反转信号线之附近所附设之第2反转信号线。5.一种半导体积体电路装置,其各徵为:系具有:第1反转信号线;及该第1反转信号线之附近所附设之第2正转信号线;及该第2正转信号线之附近所附设之第1正转信号线;及该第1正转信号线之附近所附设之第2反转信号线。6.一种半导体积体电路装置,其各徵为:将申请专利范围第4项之半导体积体电路装置及第5项之半导体积体电路装置,与上述第1正转信号线及上述第1反转信号线,于规定位置交叉,使各信号线连接。7.如申请专利范围第6项之半导体积体电路装置,其中有复数次之交叉。8.如申请专利范围第7项之半导体积体电路装置,其中交叉为等间隔者。9.一种半导体积体电路装置,其特征为:具有:由每第1间隔重覆交叉之第1正转信号线与第1反转信号线所构成之第1配线对;及由每第2间隔重覆交叉之第2正转信号线与第2反转信号线所构成之第2配线对;于上述第1正转信号线与上述第1反转信号线之间,附设有上述第2正转信号线或上述第2反转信号线。10.如申请专利范围第9项之半导体积体电路装置,其中上述第1间隔与上述第2间隔系相等。11.如申请专利范围第10项之半导体积体电路装置,其中上述第1配线对之交叉点之中间点,附设有上述第2配线对之交差点。12.如申请专利范围第4项之半导体积体电路装置,其中上述第1正转信号线与上述第1反转信号或上述第2正转信号或上述第2反转信号之距离,及上述第1反转信号与上述第2正转信号线或第2反转信号线之距离,及第2正转信号线与第2反转信号线之距离系相等。13.如申请专利范围第6项之半导体积体电路装置,其中上述第1正转信号线与上述第1反转信号或上述第2正转信号或上述第2反转信号之距离,及上述第1反转信号与上述第2正转信号线或第2反转信号线之距离,及第2正转信号线与第2反转信号线之距离系相等。14.如申请专利范围第9项之半导体积体电路装置,其中上述第1正转信号线与上述第1反转信号或上述第2正转信号或上述第2反转信号之距离,及上述第1反转信号与上述第2正转信号线或第2反转信号线之距离,及第2正转信号线与第2反转信号线之距离系相等。图式简单说明:第一图表示本发明之第1实施例之型态之构成图。第二图表示本发明之第2实施例之型态之构成图。第三图表示本发明之第3实施例之型态之构成图。第四图表示本发明之第4实施例之型态之构成图。第五图表示本发明之第5实施例之型态之构成图。第六图表示相当于本发明之第1至第5实施型态之其他之实施例。第七图系拧转之设计例。第八图系拧转之设计例。第九图系习知之配线之设计图。
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