| 主权项 |
1.一种电源线间保护电路,与一内部电路以串接方式耦接于一第一电源线和一第二电源线间;该电源线间保护电路包括:一开关元件,耦接于该内部电路和该等第一电源线和第二电源线中之一者间;以及一延迟电路,耦接至该开关元件处,并控制该开关元件之开闭状态;当于静电放电效应发生时,该延迟电路致使该开关元件呈一关断状态,使该串接路径成断路;当于一般操作模式下,该延迟电路致使该开关元件成一开启状态,使该内部电路经该等第一电源线和第二电源线供予操作电压。2.如申请专利范围第1项所述之该电源线间保护电路,其中,该开关元件系耦接于该内部电路和该第一电源线间。3.如申请专利范围第2项所述之该电源线间保护电路,其中,在该一般操作模式下,该第一电源线具有较该第二电源线高之电位。4.如申请专利范围第3项所述之该电源线间保护电路,其中,该开关元件是一N型场效电晶体,该N型场效电晶体之汲极和源极分别耦接至该第一电源线和该内部电路,该N型场效电晶体之闸极则经该延迟电路所控制。5.如申请专利范围第4项所述之该电源线间保护电路,其中,该延迟电路包括:一电阻器,该电阻器以两端分别连接至连接至该第一电源线和该N型场效电晶体闸极;以及一电容器,该电容器以两端分别连接至该第二电源线和该N型场效电晶体闸极。6.如申请专利范围第4项所述之该电源线间保护电路,其中,该延迟电路包括:二互为串接之反闸;一电阻器,该电阻器以一端连接至该第一电源线,该电阻器以另一端经该等反闸连接至该N型场效电晶体闸极;以及一电容器,该电容器以一端连接至该第二电源线,该电容器以另一端经该等反闸连接至该N型场效电晶体闸极。7.如申请专利范围第4项所述之该电源线间保护电路,其中,该延迟电路是由一电阻器建构而得,该电阻器以两端分别连接至连接至该第一电源线和该N型场效电晶体闸极。8.如申请专利范围第3项所述之该电源线间保护电路,其中,该开关元件是一P型场效电晶体,该p型场效电晶体之源极和汲极分别耦接至该第一电源线和该内部电路,该P型场效电晶体之闸极则经该延迟电路所控制。9.如申请专利范围第8项所述之该电源线间保护电路,其中,该延迟电路包括:一反闸;一电阻器,该电阻器以一端连接至该第一电源线,该电阻器以另一端经该反闸耦接至该P型场效电晶体闸极;以及一电容器,该电容器以一端连接至该第二电源线,该电容器以另一端经该反闸连接至该P型场效电晶体闸极。10.一种电源线间保护电路,与一内部电路以串接方式耦接于一第一电源线和一第二电源线间;该电源线间保护电路由一开关元件所建构而得;当于静电放电效应发生时,该开关元件呈一关断状态,使该串接路径成断路;当于一般操作模式下,该开关元件成一开启状态,使该内部电路得经该等第一电源线和第二电源线供予操作电压。11.如申请专利范围第10项所述之该电源线间保护电路,其中,该开关元件是一N型场效电晶体,该N型场效电晶体之汲极和源极分别耦接至该第一电源线和该内部电路,该N型场效电晶体之闸极则经该第一电源线所控制。图式简单说明:第一图系显示习知静电放电保护电路之电路图;第二图系显示根据本发明之积体电路电源线间保护电路设置于第一电源线和内部电路间之图示;第三图系显示根据本发明第一较佳实施例之电路图;第四图系显示根据本发明第二较佳实施例之电路图;第五图系显示根据本发明第三较佳实施例之电路图;第六图系显示根据本发明第四较佳实施例之电路图;以及第七图系显示根据本发明第五较佳实施例之电路图。 |
