| 主权项 |
1.一种氧化层之沈积方法,包括下列步骤:(a)提供一基底;及(b)在温度约450℃以上,压力约120 Torr以下的条件,以四乙氧基矽酸盐及臭氧(TEOS/O3)为主反应物,并藉化学气相沈积法(CVD)在该基底表面形成一氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该温度约为450℃至520℃。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该压力约为50 Torr至120 Torr。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该四乙氧基矽酸盐量约为300mgm以上。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该四乙氧基矽酸盐量约为300mgm至625mgm。6.一种浅沟槽隔离结构之制造方法,包括下列步骤:(a)提供一基底;(b)定义该基底以形成一浅沟槽;及(c)在温度约450℃以上,压力约120 Torr以下的条件,以四乙氧基矽酸盐及臭氧(TEOS/O3)为主反应物,藉化学气相沈积法(CVD)形成一隔离物质,其填满该浅沟槽。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中,该四乙氧基矽酸盐量约为300mgm以上。8.一种浅沟槽隔离结构之制造方法,包括下列步骤:(a)提供一基底;(b)在该基底表面形成一堆叠结构,依序其包括一绝缘层及一遮蔽层;(c)定义堆叠结构及基底以形成一浅沟槽;及(d)在温度约450℃以上,压力约120 Torr以下的条件,以四乙氧基矽酸盐及臭氧(TEOS/O3)为主反应物,藉化学气相沈积法(CVD)形成一隔离物质,其填满该浅沟槽。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该基底为一矽基底。10.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该绝缘层为一氧化矽层。11.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该遮蔽层为一氮化矽层。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中,该氮化矽层系一以二氯矽甲烷、氨气为主反应物,并藉低压化学气相沈积制程产生。13.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该温度约为450℃至520℃。14.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该压力约为50 Torr至120 Torr。15.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该四乙氧基矽酸盐量约为300mgm以上。16.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中,该四乙氧基矽酸盐量约为300mgm至625mgm。17.一种浅沟槽隔离结构之制造方法,包括下列步骤:(a)提供一矽基底;(b)在该矽基底表面形成一堆叠结构,依序其包括一垫氧化层及一氮化矽层;(c)定义该堆叠结构及该矽基底以形成一浅沟槽;(d)以热氧化法在该浅沟槽侧壁形成一第二氧化层;(e)在温度约450℃至520℃,压力约50 Torr至120 Torr的条件下,以约300mgm至625mgm以上之四乙氧基矽酸盐及臭氧(TEOS/O3)为主反应物,藉化学气相沈积法(CVD)形成一隔离物质,其覆盖该基底上方露出之表面,并填满该浅沟槽;(f)对该氮化矽层及隔离物质施以平坦化步骤;及(g)除去该氮化矽层及垫氧化层,完成该浅沟槽隔离结构。18.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中,该垫氧化层厚度约为90A至130A。19.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中,该氮化矽层厚度约为1000A至1800A。20.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中,该浅沟槽深度约为4000A。图式简单说明:第一图至第七图系显示本发明之一实施例中,设定不同制程参数,而以四乙氧基矽酸盐/臭氧(TEOS/O3)为主反应物,并藉化学气相沈积法(CVD)形成一隔离物质,完成一浅沟槽隔离结构之制程剖面图;第八图系显示一以第七图之浅沟槽隔离结构隔离,而于主动区形成电晶体元件之制程剖面图;第九图系显示本发明之一实施例中,不同环境温度下之流量与沈积回复率(deposition rate recovery)之关系图;及第十图系显示本发明之一实施例中,不同环境温度下之压力与沈积回复率之关系图。 |
