| 主权项 |
1.一种半导体发光装置,其包括:由第1导电型之AlGaAsP或AlGaAs所成之第1包层(clad);邻接该第1包层,由第1导电型之AlGaInP或AlInP所成之厚度0.5m以下之第2包层;邻接该第2包层,由第1或第2导电型之AlGaInP或GaInP所成之厚度0.1-1m之活性层;邻接该活性层,由第2导电型之AlGaInP或AlInP所成之厚度0.5m以下之第3包层;及邻接该第3包层,由第2导电型之AlGaAsP或AlGaAs,或由第2导电型之AlGaP或GaP所成之光取出层,如此所构成之半导体发光装置者。2.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中,该光取出层为具有间接迁移型带构造之化合物单结晶层者。3.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中,在基板与第1包层之间,具有光反射层者。4.如申请专利范围第3项之半导体发光装置,其中,该光反射层为由AlGaAsP或AlGaAs所成者。5.如申请专利范围第2或4项之半导体发光装置,其中,在第1包层及第4包层中,p型之层为AlGaAsP或AlGaAs层,且该p型层包含碳作为浸渍不纯物者。6.如申请专利范围第2或4项之半导体发光装置,其中,在第2包层及第3包层之中,p型之层为AlGaAsP或AlGaAs层,且该p型层为包含铍及/或镁作为浸渍不纯物者。7.如申请专利范围第2或4项之半导体发光装置,其中,作为n型浸渍不纯物系使用矽者。8.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中,该活性层之厚度为0.1-1m,邻接该第3包层而设有由第2导电型之AlGaP或GaP所成厚度1-100m之光取出层者。9.如申请专利范围第8项之半导体发光装置,其中,第1及第2包层为p型,第3包层及光取出层为n型者。10.如申请专利范围第8项之半导体发光装置,其中,发光波长为550-690nm者。11.如申请专利范围第8项之半导体发光装置,其中,在基板与第1包层之间,具有光反射层者。12.如申请专利范围第11项之半导体发光装置,其中,该光反射层为由AlGaAsP或AlGaAs所成者。13.如申请专利范围第8项之半导体发光装置,其中,第1包层为p型之AlGaAsP或AlGaAs层,且该p型层包含碳作为浸渍不纯物者。14.如申请专利范围第8项之半导体发光装置,其中,在第2包层及第3包层之中,p型之层为AlGaInP或AlInP,且该p型层为包含铍及/或镁作为浸渍不纯物者。15.如申请专利范围第8项之半导体发光装置,其为,使用矽作为n型浸渍不纯物者。16.如申请专利范围第8项至第15项中任何一项之半导体发光装置,其中,厚度10-100m之光取出层系由海特莱气相成长法所形成者。图式简单说明:第一图为先前之发光二极体一例之说明图,第二图为先前之雷射二极体一例之说明图,第三图为本发明之半导体发光装置之一例,系邻接第3包层而设有由第2导电性之AlGaAsP化合物所成之第4包层之半导体发光二极体之说明图,第四图为本发明之半导体发光装置之其他一例,系邻接第3包层而设有由第2导电性之AlGaP或GaP所成之光取出层之半导体发光二极体之说明图,第五图为本发明之半导体发光装置之一例,系邻接第3包层而设有由第2导电性之AlGaAsP化合物所成之第4层,且设有使对活性层之电流紧束用之电流阻止层之雷射二极体之说明图,第六图为说明本发明雷射二极体制造方法之图,第七图为说明本发明雷射二极体制造方法之图,及第八图为说明本发明雷射二极体制造方法之图。 |
