一种利用离子植入以改善SOG平坦化之制程

摘要

本发明系有关一种藉离子植入以改善ＳＯＧ平坦化之制程，主要系在ＳＯＧ烘烤完后加入离子植入步骤（剂量约为10^15－10^17cm^-2）藉离子撞击使ＳＯＧ内原先所含之-OH，-CH3 等键结被打断造成原子结构重新排列组合，而减少Ｃ与Ｈ之含量并降低ＳＯＧ易吸收水气之特性，以达到制程简化，金属接触窗（ＶＩＡ）阻值降低及避免金属接触窗（ＶＩＡ）异常等功效。

主权项

1.一种利用离子植入以改善SOG平坦化之制程,系包括:在形成第一金属层之后,于其上再沈积一第一介电层;于第一介电层之上更覆一SOG层;接着进行一烘烤步骤,及离子植入,其中离子植入的能量大于等于50kev小于80kev;最后于SOG层上再覆一第二介电层;藉上述之离子植入使SOG内原子被撞击而减少碳氢含量,并降低易吸附水气之特性,以达到使制程简化,制程品质稳定,降低后续形成之金属接触窗之阻値及避免该接触窗产生异常等多重功效者。2.依申请专利范围第1项所述之一种利用离子植入以改善SOG平坦化之制程,其中第一介电层可为以化学气相法所沈积形成之氧化层。3.依申请专利范围第1项所述之一种利用离子植入以改善SOG平坦化之制程,其中第二介电层可为以化学气相法所沈积形成之氧化层。图式简单说明:第一图为典型之金氧半元件之剖面图。第二图为第一图之金属接触区之金属层布局图。第三图为均匀性之金属阶梯覆盖剖面示意图。第四图为非均匀性之金属阶梯覆盖剖面示意图。