| 主权项 |
1.一种源极接触无自对准矽化的快闪记忆胞之制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有用以隔离主动区之一绝缘隔离结构;在该基底上,依序形成一通道氧化层与一浮置闸极层,并且定义该浮置闸极层的图案;在该基底上方,依序形成一第一绝缘层与一控制闸极层,并且定义该控制闸极层、该第一绝缘层与该浮置闸极层的图案;在该基底上方,形成用以定义一共用源极区之一罩幕层,并且以该罩幕层为蚀刻罩幕,蚀刻移除裸露出之该绝缘隔离结构;进行源极淡掺杂布植,于该基底内,形成一源极淡掺杂区;进行源极布植,于该基底内,于该源极淡掺杂区的上方,形成该共用源极区;以液相沉积法,于末覆盖该罩幕层的该基底上方,形成一液相沉积氧化层,该液相沉积氧化层覆盖该共用源极区;移除该罩幕层;进行汲极布植,在该基底内,形成一汲极区;在该控制闸极层、该第一绝缘层、该浮置闸极层与该通道氧化层的侧壁上,形成一间隙壁;以及进行自行对准矽化物制程,在该控制闸极层与该汲极区上,形成一金属矽化物。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该基底包括一P型基底。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该基底包括一P型井。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该绝缘隔离结构包括场氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该绝缘隔离结构包括浅渠沟绝缘隔离。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该浮置闸极层包括一复晶矽层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该浮置闸极层包括一掺杂复晶矽层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,定义该浮置闸极层的图案之步骤,更包括定义该通道氧化层图案。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一绝缘层包括ONO层。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该控制闸极层包括一复晶矽层。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该控制闸极层包括一掺杂复晶矽层。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,定义该控制闸极层、该第一绝缘层与该浮置闸极层的图案之步骤,更包括定义该通道氧化层图案。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该罩幕层包括一光阻层。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该源极淡掺杂区包括一n-掺杂区。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该共用源极区包括一n+掺杂区。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,汲极区包括一n+掺杂区。17.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,形成该间隙壁之步骤,更包括在该该液相沉积氧化层的侧壁上,形成该间隙壁。18.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该间隙壁包括一氧化层。19.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该间隙壁包括一氮化矽层。20.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该金属矽化物包括TiSi2。21.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该金属矽化物包括CoSi2。图式简单说明:第一图系绘示习知一种快闪记忆胞的布局图;第二图A至第二图E绘示习知一种快闪记忆胞之制造方法流程剖面示意图,其中每图的(I)部分为第一图的II线方向之剖面图,(II)部分为第一图的IIII线方向之剖面图,(III)部分为第一图的IIIIII线方向之剖面图;以及第三图A至第三图E绘示本发明较佳实施例之一种快闪记忆胞之制造方法流程剖面示意图,其中每图的(I)部分为第一图的II线方向之剖面图,(II)部分为第一图的IIII线方向之剖面图,(III)部分为第一图的IIIIII线方向之剖面图。 |
