| 主权项 |
1.一种运用对紫外光具有敏感度之有机氧化层于化学机械式研磨中的半导体制程,包括:设一具有第一凹凸表面的基底;设一具有第二凹凸表面的介电层于该基底上;形成一对紫外光具有敏感度的有机氧化层于该介电层上,其中该有机氧化层具有一第三凹凸表面;对该有机氧化层实施第一次紫外光照射,增加该有机氧化层的研磨率;对该有机氧化层之第三凹凸表面上的凸部实施第二次紫外光照射,增强该有机氧化层之凸部的研磨率;以及对该基底实施化学机械式研磨。2.如申请专利范围第1项之运用对紫外光具有敏感度之有机氧化层于化学机械式研磨中的半导体制程,更包括以微影成像技术于该有机氧化层之第三凹凸表面的凹部上形成一光阻层,以便于实施该第二次紫外光照射。3.如申请专利范围第1项之运用对紫外光具有敏感度之有机氧化层于化学机械式研磨中的半导体制程,其中该介电层为二氧化矽层。4.如申请专利范围第1项之运用对紫外光具有敏感度之有机氧化层于化学机械式研磨中的半导体制程,其中该对紫外光具有敏感度的有机氧化层乃指对光波长小于3,000A之单频或多频紫外光源具有光化学作用之含有机质之氧化物,该有机质含量介于10-3-100%。5.一种运用对紫外光具有敏感度之有机氧化层于化学机械式研磨中的半导体制程,其适用于一基底,而该基底具有第一凹凸表面其包括:形成一介电层于该基底上,其中该介电层具有一第二凹凸表面;形成一对紫外光具有敏感度的有机氧化层于该介电层上,其中该有机氧化层具有一第三凹凸表面;对该有机氧化层实施第一次紫外光照射,藉此增加有机氧化层的研磨率;以微影成像技术于该有机氧化层之凹部上,形成一光阻层;对该有机氧化层实施第二次紫外光照射,藉此更增强该有机氧化层之凸部的研磨率;以及对该基底实施化学机械式研磨。6.如申请专利范围第5项之运用对紫外光具有敏感度之有机氧化层于化学机械式研磨中的半导体制程,其中该介电层为二氧化矽层。7.如申请专利范围第5项之运用对紫外光具有敏感度之有机氧化层于化学机械式研磨中的半导体制程,其中该对紫外光具有敏感度的有机氧化层,乃指对光波长小于3,000A之单频或多频紫外光源具有光化学作用之含有机质之氧化物,该有机质含量可介于10-3-100%。图式简单说明:第一图A-第一图B系显示出依昔知技术之一个步骤化学机械式研磨的制程;第二图A-第二图C系显示出依昔知技术之二个步骤化学机械式研磨的制程;第三图A-第三图C系显示出依昔知技术之一种无需加入仿真体图案又可以一个步骤化学机械式研磨来完成平坦化的制程;第四图系显示出二氧化矽及未经紫外光处理/经紫外光处理之有机氧化物-研磨率间的关系图;以及第五图A-第五图H系显示用以说明本发明之运用对紫外光具有敏感度之有机氧化层于化学机械式研磨中的半导体制程。 |
