主权项 |
1.一种金属闸极之金氧半电晶体的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,并在该基底上形成一金氧半电晶体,该金氧半电晶体包括一源极/汲极区、一已定义图案之闸极绝缘层与一已定义图案之复晶矽层于该闸极绝缘层上;于该已定义图案之复晶矽层上形成一铝金属层;进行一回火制程,以使该铝金属取代该已定义图案之复晶矽层,并且使该已定义图案之复晶矽层形成一取代后之复晶矽;以及去除该取代后之复晶矽与未反应之该铝金属,以形成一铝闸极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸极绝缘层之材质包括氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸极绝缘层之材质包括高介电常数之介电材料。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该闸极绝缘层之材质包括五氧化二钽。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该源极/汲极区形成有一矽化金属层。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该矽化金属层之材质包括矽化钨、矽化钛与矽化钴三者择一。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中于闸极上形成该铝金属层之前,更包括于该基底上形成一绝缘层,暴露出该已定义图案之复晶矽层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该铝金属层之厚度约大于10A左右。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该铝金属层之厚度约为20A左右。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该铝金属层的方法包括物理气相沈积法。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该铝金属层的方法包括溅镀法。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该回火制程约在大于500℃左右的温度下进行。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除该取代后之复晶矽与未反应之该铝金属系以化学机械研磨法以执行之。14.一种以铝取代复晶矽闸极之金氧半电晶体的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,并在该基底上形成一金氧半电晶体,该金氧半电晶体包括一源极/汲极区、一已定义图案之闸极绝缘层与一已定义图案之复晶矽层于该闸极绝缘层上;于该基底上形成一绝缘层,暴露出该已定义图案之复晶矽层之表面;于该基底上形成一铝金属层,至少覆盖该已定义图案之复晶矽层之表面;进行一回火制程,以使该铝金属取代该已定义图案之复晶矽层,并且使该已定义图案之复晶矽层形成一取代后之复晶矽;以及去除该取代后之复晶矽与未反应之该铝金属,以形成一铝闸极。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该闸极绝缘层之材质包括氧化矽。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该闸极绝缘层之材质包括高介电常数之介电材料。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该闸极绝缘层之材质包括五氧化二钽。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该源极/汲极区形成有一矽化金属层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该矽化金属层之材质包括矽化钨、矽化钛与矽化钴三者择一。20.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该绝缘层包括氧化矽。21.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该绝缘层包括硼磷矽玻璃。22.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该绝缘层包括氮化矽。23.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该绝缘层之平坦化制程系以化学机械研磨法以进行之。24.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该铝金属层之厚度约大于10A左右。25.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该铝金属层之厚度约为20A左右。26.如申请专利范围第14项所述之方法,其中形成该铝金属层的方法包括物理气相沈积法。27.如申请专利范围第14项所述之方法,其中形成该铝金属层的方法包括溅镀法。28.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该回火制程系在约为500℃以上的温度下进行。29.如申请专利范围第14项所述之方法,其中去除形成该复晶矽与未反应之该铝金属系以化学机械研磨法以执行之。图式简单说明:第一图绘示习知一种N型金氧半电晶体的剖面图;以及第二图A至第二图D绘示依照本发明一较佳实施例的一种N型金氧半电晶体的制造流程剖面图。 |