发明名称 热处理装置
摘要 一种半导体晶圆(W)用之纵型热处理装置具有使内部空气加热至600度以上之热处理炉(19)。于热处理炉(19)内,将晶圆(W)搭载于艇(16)的状态下接受成批式的处理。热处理炉(19)下侧气密连接有真空预备室(102)。于真空预备室(102)内配设可运送艇(16)用之水平运送机构(201)及垂直运送机构(202)。两运送机构(201、202)系支持在安装于机械基座(28)之支持构件(29a、33a)而可自真空预备室(102)之热变形独立者。真空预备室(102)与支持部(29a、33a)系藉由伸缩软管(31b、41b)形成气密连接者。
申请公布号 TW377454 申请公布日期 1999.12.21
申请号 TW086116184 申请日期 1997.10.30
申请人 东京威力科创有限公司 发明人 田一成;谷藤保;塚田明彦
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼;康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种热处理装置,系用以对被处理基板施予热处理者,其特征为,具备:用以收纳上述被处理基板之气密处理室;用以于上述处理室内保持上述被处理基板之保持件;用以供应处理气体至上述处理室内之供应系统;用以将上述处理室之内部空气加热至摄式400度以上之加热装置;气密连接于上述处理室之真空预备室;用以选择性地遮断上述处理室与上述真空预备室的连通之封闭装置;用以将上述处理室及上述真空预备室排气,同时使上述处理室及上述真空预备室互相独立并设定成真空之排气系;用以于上述真空预备室内运送上述被处理基板之运送机构;支持上述运送机构使其可实质上不受上述真空预备室之热变形影响之支持构件;及,气密连接上述真空预备室及上述支持构件之可挠性连接密封件者。2.如申请专利范围第1项之装置,并将上述处理室之内部空气加热至摄式600度以上者。3.如申请专利范围第1项之装置,其中上述运送机构系于上述保持件保持着上述被处理基板的状态下,将上述被处理基板与上述保持件一起运送者。4.如申请专利范围第3项之装置,其中上述保持件系以间隔隔离及层积的状态保持具有实质上与上述被处理基板相同轮廓尺寸之复数个基板。5.如申请专利范围第1项之装置,并具备有机械基座,用以支持上述前处理室,使其实质上不受上述真空预备室的热变形之影响。6.如申请专利范围第5项之装置,并具备有气密连接上述处理室与上述真空预备室之可挠性连接密封件。7.如申请专利范围第1项之装置,并具备有以固定状态支持上述支持构件之机械基座。8.如申请专利范围第1项之装置,并具备有以可动状态支持上述支持构件之机械基座。9.如申请专利范围第1项之装置,其中上述可挠性连接密封件为伸缩软管。10.如申请专利范围第1项之装置,其中上述可挠性连接密封件为隔膜。11.一种纵型热处理装置,系用以对属于具有实质上相同轮廓尺寸之基板群的复数个被处理基板同时施予热处理者,其特征为,具备:用以收纳上述被处理基板之气密处理室;用以于上述处理室内以互相间隔隔开而呈层积之之状态保持上述被处理基板之保持件;用以供应处理气体至上述处理室内之供应系统;用以将上述处理室之内部空气加热至摄式600度以上之加热装置;用以气密连接上述处理室之真空预备室;用以选择性地遮断上述处理室与上述真空预备室之连通用的封闭装置;用以将上述处理室及上述真空预备室排气,同时使上述处理室及上述真空预备室互相独立并设定成真空之排气系统;可于上述处理室内的负载位置与上述处理室正下方且于上述真空预备室内的待机位置之间,沿垂直方向运送上述保持件之垂直运送机构;可于上述待机位置与上述真空预备室外位置之间,沿水平方向运送上述保持件之水平运送机构;支持上述水平运送机构使其可不受上述真空预备室的热变形影响之第1支持构件;及,气密连接上述真空预备室及上述第1支持构件之可挠性连接密封件者。12.如申请专利范围第11项之装置,并具备以固定状态支持上述第1支持构件之机械基座。13.如申请专利范围第11项之装置,其中具备支持使上述处理室实质上不受上述真空预备室之热变形影响之机械基座,及气密连接上述处理室与上述真空预备室之可挠性连接密封件。14.如申请专利范围第11项之装置,并具备支持上述垂直搬运机构,使其实质上不受上述真空预备室之热变形影响之第2支持构件,及气密连接上述真空预备室与上述第2支持构件之可挠性连接密封件。15.如申请专利范围第14项之装置,并具备经由门扉连接上述真空预备室之副真空预备室;载置配设于上述副真空预备室的上述保持具之配置台;支持上述配置台使之实质上不受上述副真空预备室之热变形影响的第3支持构件;及,气密连接上述副真空预备室与上述之可挠性连接密封件。16.如申请专利范围第15项之装置,其中上述配置台系可自由升降者。17.如申请专利范围第11项之装置,其中上述封闭装置具备可藉上述垂直运送机构而升降之盖体。18.一种纵型热处理装置,系用以对属于具有实质上相同轮廓尺寸之基板群的复数个被处理基板同时施予热处理者,其特征为,具备:用以收纳上述被处理基板之气密处理室;用以于上述处理室内以互相间隔隔开而呈层积状态保持上述被处理基板之保持件;用以供应处理气体至上述处理室内用之供应系统;内以将上述处理室之内部空气加热至摄式600度以上之加热装置;用以气密连接上述处理室之真空预备室;用以选择性地遮断上述处理室与上述真空预备室之连通用的封闭装置;用以使上述处理室及上述真空预备室排气,同时使上述处理室及上述真空预备室互相独立并设定成真空之排气系;可于上述处理室内的负载位置与上述处理室正下方且于上述真空预备室内的待机位置之间,沿垂直方向运送上述保持件之垂直运送机构;可于上述待机位置与上述真空预备室外位置之间,沿水平方向运送上述保持件之水平运送机构;支持上述垂直运送机构使其实质上自上述真空预备室的热变形独立之支持构件;及,气密连接上述真空预备室及上述支持构件之可挠性连接密封件者。19.如申请专利范围第18项之装置,并具备以可动状态支持上述支持构件之机械基座。20.如申请专利范围第18项之装置,并具备支持使上述处理室实质上从上述真空预备室独立之机械基座,及可气密连接上述真空预备室及上述支持构件之可挠性连接密封件者。图式简单说明:第一图系概略表示第二图所示热处理装置之真空预备室的纵剖侧视图;第二图系表示本发明实施形态之热处理装置的侧视配置图;第三图系表示第二图所示热处理装置之俯视配置图;第四图表示为第二图所示热处理装置之热处理炉及真空预备室的纵剖侧视图;第五图系表示第二图所示热处理装置所使用之可可挠性连接密封件的变更例之纵剖侧视图;第六图系表示第二图所示热处理装置所使用之可挠性连接密封件的其他变更例之纵剖侧视图。
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