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<p>Ein innerhalb eines Halbleiterkörpers (1) lateral begrenzter, hoch dotierter Emitterbereich (2) ist von einem Randbereich (5) umgeben, der in der Stromrichtung eine geringere Dicke und/oder einen geringeren Gradienten der Dotierstoffkonzentration besitzt. Damit wird die elektrische Feldstärke am Rand reduziert. Der niedrig dotierte Basisbereich (8) hat im mittleren Teil eine zur Optimierung der elektrischen Parameter angepaßte geringere effektive Dicke als am Rand, so daß bei Dimensionierung auf punch through ein Durchbruch bei Betrieb in Sperrichtung im mittleren Teil auftritt.</p> |
