| 主权项 |
1.一种制造半导体电容器之方法,包含下列步骤:a)于成形有接触孔之半导体基材上于绝缘层上形成储存电极材料层供形成半导体电容器之储存电极;b)于储存电极材料层上形成光阻蚀刻罩供形成储存电极;及c)载荷其上以有蚀刻罩之晶圆至低压及高密度电浆蚀刻装置内,及于下列蚀刻条件下选择性蚀刻储存电极材料层:压力13至17Mt;上电极功率600 W;下电极功率50 W;40 SCCM Cl2,6 SCCM N2,6至8 SCCM SF6。2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成储存电极之较佳蚀刻条件如下,压力15 mT;上电极功率600 W;下电极功率50 W;40 SCCM Cl2,6 SCCM N2,及7 SCCM SF6。3.如申请专利范围第1项之方法,其中形成储存电极之蚀刻步骤温度设定于20℃。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该储存电极材料层为多晶矽,及绝缘层之最上层为HTO(高温氧化物)层。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该形成储存电极之蚀刻步骤包含使用压力15 mT;上电极功率600 W,下电极功率50 W;40 SCCM Cl2,6 SCCM N2,及7 SCCM SF6之加工条件进行主蚀刻步骤至测得终点并进行过度蚀刻步骤达20%。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该过度蚀刻步骤之加工条件如下,压力20 mT;上电极功率700 W;下电极功率75W;100 SCCMCl2及6 SCCM N2。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该方法又包括介于主蚀刻步骤与过度蚀刻步骤间一段稳定用之暂停时间。8.如申请专利范围第4项之方法,其中该多晶矽层之设定厚度为9,000埃,及该光阻罩之设定厚度为7,000埃。9.一种制造半导体电容器之方法,包含下列步骤:a)于成形有接触孔之半导体基材上于绝缘层上形成储存电极材料层供形成半导体电容器之储存电极;b)于储存电极材料层上形成ARC(抗反射涂层)材料层;c)于ARC材料层上形成光阻蚀刻罩供形成储存电极;及d)载荷其上具有蚀刻罩之晶圆至低压及低密度之电浆蚀刻装置,及选择性于下述条件下蚀刻ARC材料层及储存电极材料层:压力13至17 mT;上电极功率600W;下电极功率50 W;40 SCCM Cl2,6 SCCM N2,6至8 SCCM SF6。10.如申请专利范围第9项之方法,其中形成储存电极之较佳蚀刻条件如下,压力15 MT;上电极功率600 W;下电极功率50 W;40 SCCM Cl2,6 SCCM N2,及7 SCCM SF6。11.如申请专利范围第9项之方法,其中形成储存电极之蚀刻步骤温度设定于20℃。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该储存电极材料为多晶矽,ARC材料为SiON及绝缘层之最上层系成形为HTO层。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该形成储存电极之蚀刻步骤包含使用压力15 mT,上电极功率600 W,下电极功率50 W;40 SCCM Cl2,6 SCCM N2,及7 SCCM SF6之加工条件进行主蚀刻步骤至测得终点为止并进行过度蚀刻步骤达20%。14.如申请专利范围第6项之方法,其中该过度蚀刻步骤之加工步骤如下,压力20 mT,上电极功率700 W,下电极功率75 W;100 SCCM Cl2及6 SCCM N2。15.如申请专利范围第12项之方法,其中该多晶矽层之设定厚度为10,000埃,SiON层之设定厚度为260埃及光阻罩之设定厚度为7,000埃。图式简单说明:第一图为根据本发明之半导体电容器制造用高密度电浆蚀刻装置之简单构造图;第二图为根据本发明之具体例制造的半导体电容器之储存电极轮廓之剖面图,及第三图为根据本发明之另一具体例制造的半导体电容器之储存电极轮廓之剖面图。 |
