| 主权项 |
1.一种II-VI族化合物半导体之热处理方法,主要系,把II-VI族化合物半导体在密闭容器内热处理的方法,其特征为,在II-VI族化合物单晶表面,形成施体杂质的III族元素或包含III族元素的化合物之膜后,将其单晶,和构成该单晶的II族元素放入前述密闭容器,保持为两者不含接触之状态而加热。2.一种II-VI族化合物半导体之热处理方法,主要系,在密闭容器内用以把III族元素浸渍至ZnSe单晶而低电阻化之热处理方法,其特征为,在ZnSe单晶表面,形成施体杂质的III族元素或包含III族元素的化合物之膜后,把其单晶和Zn放入密闭容器内,保持为两者不会接触之状态加热者。3.如申请专利范围第1或2项的II-VI族化合物半导体之热处理方法,其中,在II-VI族化合物单晶表面形成III族元素或包含III族元素的化合物之膜后,形成构成前述单晶的II族元素,VI族元素或II-VI族化合物之膜,然后,进行加热。4.如申请专利范围第1或2项的II-VI族化合物半导体之热处理方法,其中,在II-VI族化合物单晶表面形成III族III族元素或包含III族元素的化合物之膜,在其上使另外制作的II-VI族化合物膜密接而加热。5.如申请专利范围第1或2项的II-VI族化合物半导体之热处理方法,其中,在II-VI族化合物单晶表面形成III族元素或包含III族元素的化合物之膜,在其上使另外制作的II-VI族化合物单晶密接而加热者。6.如申请专利范围第1或2项的II-VI族化合物半导体之热处理方法,其中,在2张II-VI族化合物单晶表面分别形成III族元素或包含III族元素的化合物之膜,使该膜互相密接而加热。7.如申请专利范围第1或2项的II-VI族化合物半导体之热处理方法,其中,在II-VI族化合物单晶表面形成III族元素或包含III族元素的化合物之膜后,在其上,使不会和III族元素反应的材质之平板密接而加热。8.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中,把形成在III族元素或包含III族元素的化合物之膜的II-VI族化合物单晶表面,使该表面的凹部份和凸部份之高低差的面内平均値做为5000A以下。9.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中,将成为施体杂质的III族元素封入前述密闭容器后加热。10.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中,把前述III族元素或包含III族元素的化合物之膜厚以100-3000A的范围形成。11.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中,把前述封入密闭容器的前述III族元素之重量,做为对前述密闭容器的内容积为0.001g/cm3以上,把前述III族元素重量做为10g以下。12.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中,把前述密闭容器的II-VI族化合物单晶部之温度加热成700-1200℃,把最低温度部加热成700-1000℃。13.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中,前述的热处理终了后,以10-200℃/分之冷却速度冷却14.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中,在前述热处理后的冷却过程,使前述密闭容器之保持气密部份不会成为最低温度的构造而冷却。图式简单说明:第一图系用以实施本发明的热处理方法之装置的概念图,在ZnSe单晶表面,形成施体杂质之III族元素或包含III族元素的化合物之膜,和金属Zn一起封入石英反应管热处理之装置。第二图在第一图的装置,使ZnSe膜密接在ZnSe单晶表面之III族元素或含有III族元素化合物的膜上热处理之装置。第三图在第一图的装置,使碳涂敷之石英平板密接在ZnSe单晶表面的III族元素国含有III族元素化合物之膜上而热处理的装置。第四图在第一图之装置,和金属Zn一起把III族元素封入而热处理之装置。第五图在第一图的装置,把石英板配置在石英反应管之底部,在其上载放Zn而热处理之装置。 |
