| 摘要 |
<p>Eine nichtflüchtige Halbleiterspeicherzelle umfaßt ein auf einem Substrat (1) gebildetes Transistorbauelement (2, 3, 6) und einen Speicherknoten, der den Schaltzustand des Transistorbauelements (2, 3, 6) bestimmt und in der Umgebung einer Steuergate-Elektrode (8) angeordnet ist. Der Speicherknoten weist eine Gruppe vertikal orientierter Säulenstrukturen (7) mit mindestens zwei Halbleiterschichtzonen (10) und einer dazwischen liegenden Isolationschichtzone (11) auf.</p> |
